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功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
power device static parameter tester
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
hustec-1600a-mt是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于igbt單管及模塊,，sic器件,，mos管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,。
產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1600a,±5000v,向下兼容,，可升級(jí)到3ka/10kv.
vge可達(dá)±100v；開啟電壓vgeth支持兩種測(cè)試方法,；
采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),，便于升級(jí)和維護(hù)；
設(shè)備支持si基,，sic材料的mos管,，igbt單管及模塊，二極管測(cè)試,，晶閘管測(cè)試,，
自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試，既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍,，又可-小功率器件測(cè)試精度
支持單點(diǎn)測(cè)試,，i-v曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能,；同一規(guī)格型號(hào),，不同批次的產(chǎn)品曲線對(duì)比，同一規(guī)格,，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對(duì)比
開放通訊接口,，可以連接探針臺(tái)做wafer / chip 測(cè)試，也可以連接handle,夾具及適配器做模塊測(cè)試,
測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為excel文件,，word報(bào)告
技術(shù)指標(biāo) technical specifications
技術(shù)指標(biāo)
★ 3.4 vge(th)柵極閾值電壓 vge：0.1～10v±1%±0.01v,；
3.5 vge(th)
測(cè)試條件與精度 集電極電流ic：
10～50ma±1%±0.5ma；
50～200ma±1%±1ma,；
200～1000ma±1%±2ma,；
★ 3.6 vces集射極截止電壓 vces：0-5000v±1%±2v,；
3.7 vces
測(cè)試條件與精度 集電極電流ices：
0.01～1ma±3%±0.001ma；
1～10ma±2%±0.01ma,；
10～50ma±1%±0.1ma,；
★ 3.8 ices集射極截止電流 集電極電流ices：0.01～50ma
0.001～1ma±3%±0.001ma；
1～10ma±2%±0.01ma,；
10～50ma±1%±0.1ma,；
3.9 ices
測(cè)試條件與精度 集電極電壓vces：50～500v±1%±1v；
500～5000v±1%±2v,；
★ 3.10 vce(sat)飽和導(dǎo)通壓降 集電極電壓vces：0.001～10v±0.5%±0.001v
3.11 vce(sat)
測(cè)試條件與精度
柵極電壓vge：5～40v±1%±0.01v
集電極電流ice：0-1600a
0～100a±1%±1a,；
100～1600a±1%±1a；
★ 3.12 iges柵極漏電流 柵極漏電流iges：0.01～10μa±2%±0.005μa
3.13 iges測(cè)試條件與精度 柵極電壓vge：±1ｖ～100v±1%±0.1v,；vce=0v,；
★ 3.14 vf正向特性測(cè)試 二極管導(dǎo)通電壓vf：0.1～10v±1%±0.01v
- vf正向特性測(cè)試
測(cè)試條件與精度 電流if：0～100a±2%±1a；
100～1600a±1%±2a,；

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