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首先在器件和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,，應(yīng)充分體現(xiàn)靜電防護(hù)的思想，在器件內(nèi)部設(shè)置靜電防護(hù)元件(esd protection device),，盡量使用對(duì)靜電不敏感的器件以及對(duì)所使用的靜電放電敏感(esds, esd-sensitive)器件提供適當(dāng)?shù)妮斎氡Ｗo(hù),，使其更合理地避免esd的傷害。mos工藝是集成電路制造的---技術(shù), 以金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管為基本構(gòu)造元件,。由于mos器件中場(chǎng)效應(yīng)管的柵,、源極之間是一層亞微米級(jí)的絕緣柵氧化層，故其輸入阻抗通常大于1000m ,，并且具有5pf左右的輸入電容,，極易受到靜電的損害。因此,，在mos器件的輸入級(jí)中均設(shè)置了電阻-二極管防護(hù)網(wǎng)絡(luò),，串聯(lián)電阻能夠---尖峰電流, 二極管則能---瞬間的尖峰電壓。器件內(nèi)常見的防護(hù)元件還有：電容,、雙極晶體管,、可控硅整流器scr,，見圖1等, esd發(fā)生時(shí)，它們?cè)谑鼙Ｗo(hù)器件之前迅速作出反應(yīng),，將esd的能量吸收,、釋放，使被保護(hù)器件所受沖擊大為降低,。正常情況下,，防護(hù)元件在其一次崩潰(first breakdown)區(qū)內(nèi)工作，不會(huì)受到esd損傷,，一旦外加電壓或電流過(guò)量(overstress),，進(jìn)入二次崩潰(secondary breakdown)區(qū)的防護(hù)元件將受到不可逆轉(zhuǎn)的損害，失去對(duì)器件的保護(hù)作用,。

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防止靜電危害的原則是控制靜電的產(chǎn)生和防止靜電的積累,。控制靜電的產(chǎn)生主要是控制工藝過(guò)程和合理選擇工藝過(guò)程所用的材料,；防止靜電的積累要求設(shè)法加速靜電的泄漏和中和,，使靜電不超過(guò)安全限度。

就是在工藝流程,、設(shè)備結(jié)構(gòu)、材料選擇和操作管理等方面采取措施,，以達(dá)到---靜電的產(chǎn)生或控制靜電積累的目的,。具體方法如下：1、 ---輸送速度：降低液體輸送中的摩擦速度或液體物料在管道中的流速等工作參數(shù),，可---靜電的產(chǎn)生,。