按硅片直徑劃分：　　

硅片直徑主要有3英寸,、4英寸,、6英寸、8英寸,、12英寸300mm,，目前已發(fā)展到18英寸450mm等規(guī)格。直徑越大,，在一個(gè)硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多,，每個(gè)芯片的成本也就越低。因此,，直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向,。但硅片尺寸越大，對微電子工藝設(shè)各,、材料和技術(shù)的要求也就越高,。　　

按單晶生長方法劃分：　　

直拉法制各的單晶硅,，稱為cz硅片;磁控直拉法制各的單晶硅,，稱為mcz硅片;懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅，稱為fz硅片;用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長硅外延層,，稱為外延硅片,。

生產(chǎn)藍(lán)寶石晶體主要消耗的原料為5n高純氧化體，塊體 ,。目前國內(nèi)生產(chǎn)高純氧化鋁的主流技術(shù)有三種：多重結(jié)晶法,、醇鹽水解法、直接水解法,。1,，  多重結(jié)晶法具體又分為硫酸鋁銨熱解法和碳酸鋁銨熱解法。目前國內(nèi)山東，上海,，貴州等地的廠家,，多數(shù)采取這種方法。它的缺點(diǎn)就是金屬鐵,、鎳,、鈦、鋯等離子以及鹵素元素難以去除,，純度可以達(dá)到4n,，基本已經(jīng)---了，實(shí)際是3個(gè)9,；從純度上說,，它的缺陷挺大，一般只能用在焰熔法寶石上,，要直接拿來做大尺寸藍(lán)寶石晶體原料就很難,。無法滿足要求。