低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,,主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,,-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,,立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要,,從事電子信息,、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性,、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā),。
pecvd集成了真空、化學,、物理,、機械、電氣,、高頻等各方面的技術(shù),,是一個較為復(fù)雜的系統(tǒng)。在設(shè)備研究方面,,主要解決低溫穩(wěn)定性,、粉塵污染、氣路氣密性,、高頻輝光放電,、全自動計算機控制等技術(shù)問題;在工藝研究方面,主要解決膜厚均勻性,、工藝重復(fù)性,、光電轉(zhuǎn)換效率等技術(shù)問題。在使用本設(shè)備制作薄膜時要注意3個方面的問題,,使用前的調(diào)試,、制作薄膜的程序和使用完后的歸位工作。當對pecvd通上電時,,本機有黃,、綠、紅三色燈泡指示,,然后按下“上電開關(guān)”,,待兩分鐘后按爐體“加熱”開關(guān)即可,江蘇氧化鋅真空鍍膜,,記下各溫區(qū)的升溫電流的大小(用鉗形表測量),,并記下升溫時間、到達設(shè)定溫度時間,。當各溫區(qū)到達預(yù)計溫度時,,對兩個溫控儀表進行一次自整定,,然后對中間一個儀表再整定。待數(shù)分鐘后若3個溫區(qū)儀表顯示非常平穩(wěn)時,,認定為pid各個參數(shù)合適,,若發(fā)現(xiàn)某個儀表不穩(wěn)就再進行一次自整定。
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真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面,,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜,。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多,。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的ar離子化,造成靶與ar離子間的撞擊機率增加,,提高濺鍍速率,。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用rf交流濺鍍,,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面,,氧化鋅真空鍍膜服務(wù),電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面,,這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜,。
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低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,,-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,,氧化鋅真空鍍膜廠商,立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要,,從事電子信息,、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā),。
晶硅太陽電池的兩個發(fā)展方向分別是降低成本和提升效率。光伏行業(yè)競爭激烈,繼續(xù)降低成本十分困難,,但提升效率仍有較大空間,。復(fù)合損失是影響電池效率的關(guān)鍵因素。對于鋁背場al-bsf傳統(tǒng)電池結(jié)構(gòu)和主流的perc電池來說,,電池背面金屬/半導(dǎo)體界面缺陷密度較高,,界面復(fù)合是造-率損失的重要原因。為了降低界面復(fù)合損失,,接觸面積需要進一步減少,。然而,接觸面積占總電池面積的比例有一個下限,,否則會造成接觸電阻過大,,導(dǎo)致填充因子ff降低,電池轉(zhuǎn)換效率下降,。另一個方式則是利用結(jié)對載流子的選擇通過特性有效提高一種載流子的輸運,,同時阻礙另一種載流子的通過,可大幅減少金屬/半導(dǎo)體界面的復(fù)合,。
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