2、擴(kuò)散

擴(kuò)散是為電池片制造---,，回收抵債返修電池片，是為電池片制造p-n結(jié),，pocl3是當(dāng)前磷擴(kuò)散用較多的選擇,。pocl3為液態(tài)磷源，液態(tài)磷源擴(kuò)散具有生產(chǎn)效率較高,、穩(wěn)定性好,、制得pn結(jié)均勻平整及擴(kuò)散層表面---等優(yōu)點(diǎn)。

pocl3在大于600℃的條件下分解生成五---pcl5和五氧化二磷p2o5,，pcl5對(duì)硅片表面有腐蝕作用,，當(dāng)有氧氣o2存在時(shí)，pcl5會(huì)分解成p2o5且釋放出---,，所以擴(kuò)散通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣,。p2o5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅和磷原子,，生成的p2o5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成sio2和磷原子,，并在硅片表面形成磷-硅玻璃psg，回收庫(kù)存電池片,，磷原子向硅中擴(kuò)散,，制得n型半導(dǎo)體。

六,、鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜�,，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用pecvd設(shè)備制備減反射膜,。pecvd即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體sih4和nh3,，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導(dǎo)體材料的基石,，它是先通過(guò)拉單晶制作成硅棒,，然后切割制作成的。由于硅原子的價(jià)電子數(shù)為4,，序數(shù)適中,，所以硅元素具有特殊的物理化學(xué)性質(zhì)，可用在化工,、光伏,、芯片等領(lǐng)域。---是在芯片領(lǐng)域,，正式硅元素的半導(dǎo)體特性,，回收客退實(shí)驗(yàn)電池片，使其成為了芯片的基石,。在光伏領(lǐng)域,，可用于太陽(yáng)能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達(dá)到25.8%,，開(kāi)采較為方便,，可回收性強(qiáng)，所以價(jià)格低廉,，進(jìn)-步增強(qiáng)了硅的應(yīng)用范圍,。