六、鍍減反射膜
拋光硅表面的反射率為35%,,為了減少表面反射,,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜�,,F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用pecvd設(shè)備制備減反射膜,。pecvd即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,,利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體sih4和nh3,,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),,在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半導(dǎo)體材料的基石,,它是先通過拉單晶制作成硅棒,,然后切割制作成的。由于硅原子的價(jià)電子數(shù)為4,,序數(shù)適中,,
三、擴(kuò)散制結(jié)
太陽能電池需要一個(gè)大面積的pn結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換,,而擴(kuò)散爐即為制造太陽能電池pn結(jié)的設(shè)備,。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上-部分,、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成,。擴(kuò)散一般用-液態(tài)源作為擴(kuò)散源,。把p型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi),在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱?帶入石英容器,,通過-和硅片進(jìn)行反應(yīng),,得到磷原子。經(jīng)過一定時(shí)間,,回收三星芯片,,磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層,并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散,,形成了n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體的交界面,,也就是pn結(jié)。這種方法制出的pn結(jié)均勻性好,,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,,少子壽命可大于10ms。制造pn結(jié)是太陽電池生產(chǎn)基本也是關(guān)鍵的工序,。因?yàn)檎莗n結(jié)的形成,,才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處,這樣就形成了電流,,南通芯片,,用導(dǎo)線將電流引出,就是直流電,。
太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測——表面制絨——擴(kuò)散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等,。
電路板清洗技術(shù)
3、 免清洗技術(shù)
在焊接過程中采用免清洗助焊劑或免清洗焊膏,,焊接后直接進(jìn)入下道工序不再清洗,,
免清洗技術(shù)是目前使用多的一種替代技術(shù),尤其是移動(dòng)通信產(chǎn)品基本上都是采用免洗方法來替代ods,。目前-已經(jīng)開發(fā)出很多種免洗焊劑,,國內(nèi)如北京晶英公司的免清洗焊劑。
免清洗焊劑大致可分為三類:
1 松香型焊劑:再流焊接使用rma,,可免洗,。
2 水溶型焊劑:焊后用水清洗。
3 低固態(tài)含量助焊劑:免清洗,。免清洗技術(shù)具有簡化工藝流程,、節(jié)省制造成本
和污染少的優(yōu)點(diǎn)。近十年來,免清洗焊接技術(shù),、免清洗焊劑和免清洗焊膏的普遍使用,,是20 世紀(jì)末電子產(chǎn)業(yè)的一大特點(diǎn)。取代cfcs 的途徑是實(shí)現(xiàn)免清洗,。
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