反應(yīng)離子刻蝕原理是將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離,，產(chǎn)生等離子體,。一方面由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，另一方面由于射頻自偏壓作用,，晶片清洗臺,，等離子體中的正離子對被刻蝕材料，表面進行物理轟擊,，晶片,，從而以物理化學(xué)相結(jié)合的方法達到材料表面刻蝕的目的。

清洗槽也叫酸槽/化學(xué)槽,，主要有hf,，h2so4，常熟晶片清洗機,，h2o2,，hcl等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質(zhì),，去離子,，去原子，后還有di清洗,。ipa是,，就是工業(yè)酒精，是用來clean機臺或parts的,，晶片清洗,，是為了減少partical的。

刻蝕機作為重要的半導(dǎo)體加工設(shè)備之一,，在半導(dǎo)體晶圓廠資本開支中占比較高,。目前來看，刻蝕機資本開支占比達到22%，已經(jīng)與光刻機同處在前梯隊,，而光刻機,、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備三大設(shè)備合計占比-64%,。近年來刻蝕機市場規(guī)模有-提升,。濕法刻蝕由于可是方向的不可控性，導(dǎo)致其在高制程很容易降低線寬寬度,，甚至破壞線路本身設(shè)計,，導(dǎo)致生產(chǎn)芯片品質(zhì)變差。