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氣體傳感器闡述sno2薄膜氣敏器件因具有-的穩(wěn)定性、能在較低的溫度下工作,、檢驗氣體種類多,、工藝成熟等優(yōu)點，是目前的主 品。此外,，fe2o3也是目前廣泛應(yīng)用和研究的材料,。除了傳統(tǒng)的sno、sno2和fe2o3三大類外,，目前又研究開發(fā)了一批新型材料,，包括單一金屬氧化物材料、復(fù)合金屬氧化物材料以及混合金屬氧化物材料,。這些新型材料的研究和開發(fā),，大大提高了氣體傳感器的特性和應(yīng)用范圍。


氣體傳感器種類按計算,，在sno2中加入3～5％的tho2,，5％的sm2．在600℃的h2氣氛中燒結(jié)，制成厚膜器件,，工作溫度為400℃,。則可作為co檢測器件。上圖右圖是燒結(jié)溫度為600℃時氣敏器件的特性,�,？煽闯觯�工作溫度��170～200℃范圍內(nèi),，對h2的靈敏度曲線呈拋物線,，而對co改變工作溫度則影響不大，因此,，利用器件這一特性可以檢測h2,。而燒結(jié)溫度為400℃制成的器件，工作溫度為200℃時,，對h2,、co的靈敏度曲線形狀都近似呈直線，但對co的靈敏度要高得多,，可以制成對co敏感的氣體傳感器,。


氣體傳感器定做4、穩(wěn)定性實際應(yīng)用中,，存在ut隨時間漂移的特性,，為此，采用在hcl氣氛中生長一層sio2絕緣層,，可以--ut的漂移,。除氫氣外，其他氣體不能通過鈀柵,，制作其他氣體的pd—mosfet氣敏傳感器要采用一定措施,，如制作co敏mosfet時要在鈀柵上制作約20nm的小孔,，就可以允許co氣體通過。另外,，由于pd—mosfet對氫氣有較高的靈敏度,，而對co的靈敏度卻較低，為此可在鈀柵上蒸發(fā)一層厚約20nm的鋁作保護層,，阻止氫氣通過,。鈀對氨氣分解反應(yīng)的催化作用較弱，為此,，要先在sio2絕緣層上沉淀一層活性金屬，如pt,、ir,、la等。再制作鈀柵,，可制成氨氣敏mosfet,。



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