計中牽扯到 2 個主要參數(shù)lab,、 k,需同時滿足目標(biāo)值,,所以將 lab 進(jìn)行優(yōu)化設(shè)定,,
而 k 值通過 sweep 生成多個拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行選取。
1 先將turns設(shè)置為 3,直接,看看默認(rèn)這些物理參數(shù)條件下 lab 大概是
多少,,結(jié)果盡量在目標(biāo)值 1.5nh 左右, 方便后續(xù)優(yōu)化 sweep 迭代,。
2 對 lab 進(jìn)行優(yōu)化,,選outer radius進(jìn)行調(diào)整,目標(biāo)值 1.5n,, 頻率點就默認(rèn)的
即可,。反正看的是全頻段結(jié)果,在高頻時應(yīng)該感值會增加
3 sweep 設(shè)置,, 為了得到較多的物理拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),, 選擇 2 個物理尺寸進(jìn)行掃描線
寬 w 和線間距 s,將width和spacing設(shè)置為變量 w,、 s 后,,---ok,
會彈出變量設(shè)置對話框,。設(shè)置 s、w 的起止尺寸和點數(shù)注意不要違反 drc rule,。
本例中 w 設(shè)置 6 個點,, s 設(shè)置 5 個點,這樣會有 30 個拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),, 那么 k 值選擇
范圍會大些,。
4 類型自行選擇,本例為了快速,,選擇的低精度interconnect,。也僅生
成 nport 模型,沒有勾選集總 pbm 模型,。
在 ade 中根據(jù)設(shè)計要求搭建測試電路,, 本例按照理想元器件、 和 peakview 模型進(jìn)
電路測試比對,。 電路中已知的終端電阻 rt=50ω,, 負(fù)載電容 cl=600ff。
1 理想電路: t-coil 和橋接電容 cb 都是按照理想元器件進(jìn)行設(shè)置,。這是在電路設(shè)
計時的結(jié)果,,指標(biāo)肯定是的。
2 實際電路: t-coil 是 peakview 生成的模型,, 通過 instance 調(diào)用過來,。 而且 tcoil 模型中存在線圈間耦合電容,, 所以橋接電容 cb 要扣除這部分, 否則結(jié)果有
偏差,。 需要在測試時對 cb 進(jìn)行變量掃描,, 來找出值
物理層面降低器件或走線電容比較困難, 需要設(shè)法將電容電氣特性---掉,, 來解決問
題,。 kleveland 等-計出分布式 esd 保護(hù)系統(tǒng), 如下圖,, 一個四段 esd 保護(hù)結(jié)構(gòu)+cpw,, 這
種結(jié)構(gòu)通過調(diào)整 cpw 特征阻抗 z0, 來和源端,、 負(fù)載端進(jìn)行阻抗匹配,, 避免了早期 esd 大電
容引起的阻抗不連續(xù)。 z0 調(diào)整不但考慮 cpw 的電容,、 電感效應(yīng),, 還要包括 esd 電容, 具體
計算公式為: z0=sqrtlcpw/cesd+ccpw,。
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