興之揚(yáng)微孔網(wǎng)片能加工多小的孔,?
對(duì)于加工微孔網(wǎng)片來(lái)說(shuō),不了解的人常問(wèn)我們的問(wèn)題就是“興之揚(yáng)微孔網(wǎng)能加工多小的孔”,。有些客人以為蝕刻可以加工任意大小任何形狀的孔,,其實(shí)并不是這樣。蝕刻雖然加工的孔比激光和沖壓的孔更精密孔徑更小,,但是還是受到材料,,厚度等條件的---,并不是所有的孔徑都能---加工,。
首先我們需要了解一下微孔網(wǎng)蝕刻加工開(kāi)孔的原理:微孔網(wǎng)一般是金屬材質(zhì),,主要以不銹鋼為主。蝕刻就是通過(guò)絲印或網(wǎng)印的方式,,通過(guò)---顯影把材料上不需要開(kāi)孔的部分遮住,,然后用化學(xué)或電化學(xué)方式腐蝕出孔的部分,---褪去保護(hù)不被腐蝕的外膜,,這樣就能獲得所需的微孔網(wǎng)片,。
微孔網(wǎng)能做多小的孔和菲林制圖非常相關(guān),一般來(lái)說(shuō),,如果菲林能刻0.04mm的孔徑和0.04mm的縫寬,,在此基礎(chǔ)上能夠加工0.05mm的孔,基本來(lái)說(shuō)真實(shí)蝕刻的孔徑一般是菲林孔徑的1.2倍,。
微孔網(wǎng)能加工多小的孔和材料厚度也有關(guān)系,,以垂直開(kāi)孔為例,一般的話孔徑會(huì)在厚度的1.2倍,,也有能夠達(dá)到1:1的,,也就是多厚的材料加工多大的孔。如果是開(kāi)錐形孔,,也叫喇叭孔,,在這種情況下,,需要開(kāi)孔工件的材料厚度可以是開(kāi)孔孔徑的2倍。
金屬蝕刻網(wǎng)片的熔煉過(guò)程:
1一:這個(gè)階段主要是起弧,。電爐通電后,,電極發(fā)射熱電子,從陰極發(fā)出大量電子,,高速電子可使中性的空氣分子離解成離子,,從而空氣具有導(dǎo)電能力,產(chǎn)生電弧,,釋放出大量的光和熱,。
2二:這個(gè)階段主要是電極穿井和極下?tīng)t料的熔化。通電起弧后,,電極下的爐料受熱熔化,。隨著熔化的進(jìn)行,經(jīng)過(guò)15-25分鐘的時(shí)間,,電極降到低位置,。在此階段,電弧始終被爐料包圍,,電弧所放出的熱量絕大部分用于加熱和熔化爐料,,對(duì)爐蓋的熱輻射很少,應(yīng)該向爐內(nèi)輸送大功率,。
3三:這一階段主要是電極四周爐料的熔化和電極的回升,。隨著熔化的進(jìn)行,液面不斷上升,,電極也就相應(yīng)地上升。在回升過(guò)程中,,周?chē)臓t料逐漸熔化,,當(dāng)爐內(nèi)只有爐坡和爐底還剩部分未熔爐料,即全部爐料熔化80%左右,,這一階段結(jié)束,。在這個(gè)階段,電弧在大部分時(shí)間中仍被冷料包圍,,應(yīng)仍向爐內(nèi)輸送大功率,。
4四:這個(gè)階段主要是低溫爐區(qū)爐料的熔化。電弧是點(diǎn)熱源,,爐膛內(nèi)的溫度分布不均勻,,爐門(mén)附近,出鋼口兩側(cè)等處的爐料熔化較慢,。應(yīng)及時(shí)將這些地方的冷料推入熔池,。在此階段液面仍緩慢上升,,鋼水溫度已經(jīng)升高,電弧開(kāi)始暴露在液面上,,輻射加強(qiáng),,應(yīng)該適當(dāng)降低輸入功率和電壓。
第二和第三階段是熔化過(guò)程的主要階段,,占全部時(shí)間的70-80%,,是決定熔化期時(shí)間長(zhǎng)短的主要因素。
興之揚(yáng)蝕刻電視304不銹鋼網(wǎng)小編來(lái)給大家講解什么是干法蝕刻:
電漿干法蝕刻主要應(yīng)用于集成電路制程中線路圖案的定義,,通常需搭配光阻的使用及微影技術(shù),,其中包括了1)氮化硅(nitride)蝕刻:應(yīng)用于定義主動(dòng)區(qū);2)復(fù)晶硅化物/復(fù)晶硅(polycide/poly)蝕刻:應(yīng)用于定義閘極寬度/長(zhǎng)度,;3)復(fù)晶硅(poly)蝕刻:應(yīng)用于定義復(fù)晶硅電容及負(fù)載用之復(fù)晶硅,;4)間隙壁(spacer)蝕刻:應(yīng)用于定義ldd寬度;5)接觸窗(contact)及引洞(via)蝕刻:應(yīng)用于定義接觸窗及引洞之尺寸大�,�,;6)鎢回蝕刻(etchback):應(yīng)用于鎢栓塞(w-plug)之形成;7)涂布玻璃(sog)回蝕刻:應(yīng)用于平坦化制程,;8)金屬蝕刻:應(yīng)用于定義金屬線寬及線長(zhǎng),;9)接腳(bondingpad)蝕刻等。
影響干法蝕刻特性好壞的因素包括了:1)干法蝕刻系統(tǒng)的型態(tài),;2)干法蝕刻的參數(shù),;3)前制程相關(guān)參數(shù),如光阻,、待蝕刻薄膜之沉積參數(shù)條件,、待蝕刻薄膜下層薄膜的型態(tài)及表面的平整度等。
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