密度大也使cu/w具有對空間輻射總劑量(tid)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用,,因為要獲得同樣的屏蔽作用,使用的鋁厚度需要是cu/w的16倍,。新型的金屬封裝材料及其應用除了cu/w及cu/mo以外,,傳統金屬封裝材料都是單一金屬或合金,,它們都有某些不足,,難以應對現代封裝的發(fā)展,。---已廣泛生產并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上,。由于cu-mo和cu-w之間不相溶或浸潤性極差,,況且二者的熔點相差很大,給材料制備帶來了一些問題,;如果制備的cu/w及cu/mo致密程度不高,芯片金屬管殼,,則氣密性得不到---,,石家莊金屬管殼,影響封裝性能,。另一個缺點是由于w的百分含量高而導致cu/w密度太大,,增加了封裝重量。cu/w和cu/mo為了降低cu的cte,,可以將銅與cte數值較小的物質如mo,、w等復合,,得到cu/w及cu/mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電,、導熱性能,,同時融合w、mo的低cte,、高硬度特性,。cu/w及cu/mo的cte可以根據組元相對含量的變化進行調整,可以用作封裝底座,、熱沉,,還可以用作散熱片。
密度大也使cu/w具有對空間輻射總劑量(tid)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用,,因為要獲得同樣的屏蔽作用,,使用的鋁厚度需要是cu/w的16倍。新型的金屬封裝材料及其應用除了cu/w及cu/mo以外,,傳統金屬封裝材料都是單一金屬或合金,,它們都有某些不足,難以應對現代封裝的發(fā)展,�,?煞タ煞ズ辖�(fe-29ni-17co,中國牌號4j29)的cte與si,、gaas以及al2o3,、beo、ain的cte較為接近,,具有---的焊接性,、加工性,能與硼硅硬玻璃匹配封接,,在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用,。但由于其熱導率低,電阻率高,,密度也較大,,使其廣泛應用受到了很大---。金屬基復合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座,,電子金屬管殼,,芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上,引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術的一種電子封裝形式,。它廣泛用于混合電路的封裝,,主要是和定制的氣密封裝,在許多領域,,尤其是在-及航空航天領域得到了廣泛的應用,。
與傳統式金屬封裝材料對比,,他們關鍵有下列優(yōu)勢:能夠根據改變提高體的類型、體積分數,、排序方法或改變常規(guī)鋁合金,,改變材料的熱工藝性能,考慮封裝熱失配的規(guī)定,,乃至簡單化封裝的設計方案;材料生產制造靈便,,價錢持續(xù)減少,非常是可立即成型,,防止了價格昂貴的生產加工花費和生產加工導致的材料耗損,;盡管---能夠選用相近銅的方法處理這個問題,但銅,、鋁與集成ic,、基鋼板比較---的熱失配,給封裝的熱設計產生挺大艱難,,金屬管殼鍍金,,危害了他們的普遍應用。1.2鎢,、鉬mo的cte為5.35×10-6k-1,,與可伐和al2o3十分配對,它的導熱系數非常高,,為138w(m-k-1),,所以做為氣密性封裝的基座與可伐的腋角電焊焊接在一起,用在許多中,、高功率的金屬封裝中 cu/w和cu/mo以便減少cu的cte,,能夠將銅與cte標值較小的化學物質如mo、w等復合型,,獲得cu/w及cu/mo金屬材料-金屬材料復合型材料,。這種材料具備高的導電性、傳熱性能,,另外結合w,、mo的低cte、高韌性特點,。cu/w及cu/mo的cte能夠依據組元相對性成分的轉變開展調節(jié),,能夠用作封裝基座、熱沉,,還能夠用作散熱器。
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