適用于振蕩或補償電路中.
(2)可變電容器:可變電容器的介質(zhì)有空氣，有機薄膜等，通過旋動旋鈕,，改變固
定片與動片之間正對面積來改變電容器的容量. 可變電容器常由一組或幾組同軸單元組成,， 分別有單連,，雙連,，三連等，各組單元之間有金屬板隔開,，以防寄生耦合.
二,，電容器的容量標(biāo)志方法
1. 直標(biāo)法;單位:f(法拉) ，mf(毫法) ,，uf(納法)
,，pf(皮法) . 2. 數(shù)碼表示法.一般用三位數(shù)表示容量的大小,，單位為 pf.前兩位為有效數(shù)字，
后一位表示倍乘,，即乘以 10 ,，i 為第三位數(shù)字，若第三位為數(shù)字 9,，則乘 10 .如 479 代
i
1
表 47× 10 pf; 代表 22× 10 223
1
3
pf=0.022 uf; 還有如 1n 代表 1000 pf,，
代表 6800 pf. 6n8
另外，有時在數(shù)字前冠以 r,，如 r33,，表示 0.3---;有時用大于
1 的四位數(shù)字表示單 位為 pf，如 2200 表示 2200pf,，有時小于 1 的數(shù)字表示,，單位為 uf，如 0.22 為 0.22uf.
3. 色標(biāo)表示法.這種表示法與電阻器的色環(huán)表示類似,，顏色涂在電容器的一端或
從頂端向引線排列.色碼一般只有三種顏色,，前兩位環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為倍率,，單位 pf .如紅紅橙,，表示 22000pf.
4. 誤差的表示法
(1) 直接標(biāo)在電容器上. (2) 用羅馬數(shù)字ⅰⅱⅲ標(biāo)在電容器---別表示±5%,，±10%，±20%. ,， ,， (3) 用英文字母表示法.如 j，k,，m 和 n 分別表示±5%,，±10%，±20%和±30%. (4) 用 d,， g 分別表示±0.5%,， f，led陶瓷板機座,， ±1%,，led陶瓷板電阻， ±2%. 例如,，江門led陶瓷板,， 224k 表示 22× 10 pf，led陶瓷板價格,， 標(biāo)有 ,， 其允許誤差為±10%.
4
例1－1 晶閘管導(dǎo)通的條件是什么,？導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由什么決定？晶閘管的關(guān)斷條件是什么,？如何實現(xiàn),？晶閘管導(dǎo)通與阻斷時其兩端電壓各為多少？
解：晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管陽極和陰極之間加正向陽極電壓,。門極和陰極之間加適當(dāng)?shù)恼蜿枠O電壓,。
導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由主電路電源電壓和負載大小決定。
晶閘管的關(guān)斷條件是：陽極電流小于維持電流,。
關(guān)斷晶閘管可以通過降低晶閘管陽極－陰極間電壓或增大主電路中的電阻,。
晶閘管導(dǎo)通時兩端電壓為通態(tài)平均電壓管壓降，阻斷時兩端電壓由主電路電源電壓決定,。
2.元器件方面
?研制各種適合于厚膜電路組裝的有源和
無源器件
?研制和發(fā)展厚膜敏感器件
3.電路方面：向---規(guī)模方向發(fā)展
?利用厚膜的多層布線技術(shù)和高密度組裝技術(shù),，提高電路的集成度。
4.厚膜技術(shù)方面
?研究和發(fā)展各種自動化高密度組裝技術(shù)突點技術(shù),、smt技術(shù),、焊接技術(shù)激光微焊、電子束焊接,。
?發(fā)展厚膜與其他各種技術(shù)的組合技術(shù)
厚膜技術(shù),、薄膜技術(shù)、半導(dǎo)體微細加工技術(shù),、cad,、cam、cat
5.多芯片模塊mcm—混合微電路的新品種
封裝密度增加一個數(shù)量級,、性能提高一個
數(shù)量級
mcm-d—通過薄膜淀積金屬和多層介記載加工的多層基片,。
mcm-c—通過陶瓷與金屬共燒加工的多層基片。htcc,、ltcc
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