真空泵碳片

硅化石墨的制備

硅化石墨的生產(chǎn)方法主要有三種化學(xué)氣相沉積法(cvd),，真空泵碳片定制,，化學(xué)氣相反應(yīng)法(cvr)及液硅滲透反應(yīng)法。

1.化學(xué)氣相沉積(cvd))法

使含硅,、碳的氣體通過高溫石墨基體發(fā)生熱分解,，生成sic沉積在石墨基體表面。原料為(ch3sic3),、氫,、硅蒸氣等。沉積溫度范圍較寬,，從1175℃到1775℃,。用此法生成的sic層非常致密，厚薄均勻,，一般厚度約為0.1～0.3mm,。但sic與石墨基體的結(jié)合為純機(jī)械結(jié)合,，結(jié)合力較弱，火炬高技術(shù)開發(fā)區(qū)真空泵碳片,，在溫度急變時sic層易發(fā)生龜裂,、剝落。

真空泵碳片的供應(yīng)

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