化學(xué)氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素單元或多元蒸發(fā)化合物置于反應(yīng)室,，當(dāng)高溫氣流進(jìn)入反應(yīng)室時(shí),，可控制的反應(yīng)室可使其發(fā)生一種合適的化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致被沉積物體的表面形成一種膜層,，鍍膜設(shè)備,，同時(shí)將反應(yīng)產(chǎn)物及多余物從反應(yīng)室蒸發(fā)排除。

化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)稱cvd,，也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮�,，屬于一種薄膜技術(shù)。常見的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積npcvd,，低壓化學(xué)氣相沉積lpcvd,，-壓下化學(xué)氣相沉積apcvd。

物---相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：

(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā),，異華或被濺射,，也就是通過鍍料的氣化源。

(2)鍍料原子,、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應(yīng)。

(3)鍍料原子,、分子或離子在基體上沉積,。

認(rèn)識(shí)pvd物---相沉積技術(shù)

物---相沉積技術(shù)工藝過程簡(jiǎn)單，真空鍍膜設(shè)備多少錢,，對(duì)環(huán)境---,，無污染，耗材少,，成膜均勻致密,，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天,、電子,、光學(xué)、機(jī)械,、建筑,、輕工、冶金,、材料等領(lǐng)域,，可制備具有耐磨、耐腐飾,、裝飾,、導(dǎo)電、絕緣,、光導(dǎo),、壓電、磁性,、潤(rùn)滑,、超導(dǎo)等特性的膜層。