振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:-回收硅片,電池片,,初級多晶硅,,銀漿布,單晶硅,,多晶硅,,太陽能電池,光伏組件,,太陽能電池板,,客戶撤退,降級,,庫存,,el,---測試,,二手,,舊工程,拆卸,,路燈,,拆解電站,拆卸,,膠合板,,層壓板,無邊界晶體硅,,多晶硅,,單晶硅,實驗板,---償還,,返工,,光伏模塊回收等。
電池片流程
擴散制結(jié): 太陽能電池需要一個大面積的 pn 結(jié)以實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化,, 而擴散爐就是制造太陽能電池p-n 結(jié)的-設(shè)備,。擴散用---為擴散源。在 830 度的高溫下用氮氣將---帶入石英容器,,通過---和硅片進行反應,,得到磷離子,通過硅原子質(zhì)檢的空隙向硅片內(nèi)擴散,,形成 p-n 結(jié),。
需注意 :
石英舟一舟可放置 500 片, 擴散面需跟制絨面在同一面上,,擴散為單面擴散,,工藝流程為 83 分鐘。
濕法刻蝕: 利用 hno3 和 hf 的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕 ,, 去除邊緣的 n 型硅 ,, 使得硅片的上下表---互絕緣。
需注意 : 刻蝕分為干濕兩法 ,,目前采用濕法,,刻蝕后需做親水性測試。
如何判斷親水性是否-,?
用純水滴在硅片上看硅片上的擴散面積,。機械臂流片需要返工因臭氧層丟失。
pevcd: 鍍減反射膜可以有效降低光的反射 .
需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片,,流程為 50 分鐘,, 在此階段會發(fā)生色斑,色差等問題,。
絲網(wǎng)印刷 : 把帶有圖案的模版附著于絲網(wǎng)上進行印刷 ,, 通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯,、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成 ,, 承印物直接放在帶有模版的絲網(wǎng)下面,漿料在刮刀的擠壓下穿過絲網(wǎng)間的網(wǎng)孔 ,, 只有圖像部分能穿過,,印刷到承印物上印刷流程為背電極——背電場——正電極。
需注意 : 斷柵 問題會出現(xiàn)在此工藝段,。也是電池片的后一大工藝段,。
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電池片組件回收
1剛開始環(huán)節(jié),,層壓機的溫度維持在較低溫度,,eva熔融,有優(yōu)良的流通性,,可是化學交聯(lián)速率比較慢,。進口真空泵對下室真空包裝,因此部件內(nèi)部的汽體快速而且非常容易的被吸走,。上室維持真空泵,,部件沒受工作壓力。
2eva干固環(huán)節(jié)。層壓機溫度上升到1個較高溫度,,eva產(chǎn)生迅速的化學交聯(lián)反映,。下室繼續(xù)保持真空包裝,立即排出來干固全過程造成的汽體,。一起上室打氣,,上下左右室中間的工作壓力差使層壓機中的---橡膠層對部件施壓。
3完畢環(huán)節(jié),。eva干固進行,。起先上室真空包裝,移去工作壓力,,隨后下室打氣,,打開表蓋。針對bipv部件,,兩面全是夾層玻璃,,而且為了實現(xiàn)工程建筑規(guī)定,片式玻璃的厚度乃至超過5mm,�,;镜慕^緣層背膜-eva-電池片-eva-夾層玻璃5層封裝加工工藝,此環(huán)節(jié)壓層出-的難題較多,。封裝出-的汽泡,,挪動等狀況,依據(jù)eva熔化干固基本原理,,探求合適封裝的與眾不同加工工藝,。依據(jù)具體生產(chǎn)制造必須和必須品牌eva的干固特點按給出方式提升壓層主要參數(shù)。
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刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,,避免 pn 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕,。采用高頻輝光放電反應,, 采用高頻輝光放電反應,使反應氣體---成活性粒子,,如原子或各種游離基,這些活性粒子擴散到硅片邊緣,,在那里與硅進行反應,,形成揮發(fā)性生成物四---硅而被去除。
化學公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工藝流程
預抽,,主抽,,送氣,輝光,,抽空,,清洗,預抽,,主抽 ,,充氣。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高:等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷,,導致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降,。在結(jié)區(qū)耗盡層造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復合增加,。
射頻功率太低:會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻,從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,,導致并聯(lián)電阻下降,。
2. 時間
刻蝕時間過長:刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大,時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),,從而導致?lián)p傷區(qū)域高復合,。
刻蝕時間過短:刻蝕不充分,沒有把邊緣鱗去干凈,,宜春電池組件,, pn 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。
4. 壓力
壓力越大,,氣體含量越少,,參與反應的氣體也越多,刻蝕也越充份,。
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