可控硅調(diào)光電源的基本原理是什么,？

可控硅從外形上區(qū)分：主要有螺旋式,、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多,。

   可控硅有三個極----陽極a,、陰極c和控制極g，管芯是p型導體和n型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個pn 結(jié),，與只有一個pn結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。可控硅應(yīng)用時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

   我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只npn型號晶體管，而二,、三,、四層組成另一只pnp型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓e,，又在控制極g和陰極c之間相當bg2的基一射間輸入一個正的觸發(fā)信號，bg2將產(chǎn)生基極電流ib2,，經(jīng)放大,，bg2將有一個放大了β2 倍的集電極電流ic2 。因為bg2集電極與bg1基極相連,，ic2又是bg1 的基極電流ib1 。bg1又把ib1ib2放大了β1的集電極電流ic1送回bg2的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到bg1、bg2完全導通,。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制極,，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能。