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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜,，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射,，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用,。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,，利用輝光放電或另加-體使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體,，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 pecvd 方法區(qū)別于其它 cvd 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子,，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的---能,。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合,、激發(fā)和電離過程,，生成活性-的各種化學(xué)基團(tuán)，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍,，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的 cvd 過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn),。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ 。

2. 節(jié)省能源,，降低成本,。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減,。

擴(kuò)散方式

pe 設(shè)備有兩類：平板式和管式,。

按反應(yīng)方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau  。

直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體,。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極,。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外,，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中,。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) nh3 ，而 sih4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔,。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多,，這對-生產(chǎn)尤其重要。

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中國應(yīng)用充電電池現(xiàn)況中國應(yīng)用數(shù)多的工業(yè)生產(chǎn)充電電池為鉛酸蓄電池,，鉛占電瓶固定成本50%左右,，關(guān)鍵選用火法、濕法冶金加工工藝及其固相電解法復(fù)原技術(shù)性,。機(jī)殼為塑膠，能夠再造,，基礎(chǔ)保持無污染,。 

中小型再次充電電池現(xiàn)階段中國的應(yīng)用總產(chǎn)量只能上億只，且大部分容積較小,，廢舊電池運(yùn)用使用價值較低,，再加應(yīng)用分散化，絕大多數(shù)作城市垃圾處理,，其收購存有著成本費(fèi)和管理工作的難題,，再造運(yùn)用也存有必須的技術(shù)性難題。

廢舊電池做為生活垃圾處理開展集中處理時,，廢舊電池中的hg,、cd、pb,、zn等金屬鎘部分在高溫下人空氣,，部分變成脫硫石膏，造成污染,。