興之揚(yáng)316不銹鋼網(wǎng)片小編給大家介紹什么是二氧化硅的濕式蝕刻：

在微電子組件制作應(yīng)用中，二氧化硅的濕式蝕刻通常采用hf溶液加以進(jìn)行(5),。而二氧化硅可與室溫的hf溶液進(jìn)行反應(yīng),，但卻不會(huì)蝕刻硅基材及復(fù)晶硅。反應(yīng)式如下：sio2+6hf=h2+sif6+2h2o

由于hf對(duì)二氧化硅的蝕刻速率相當(dāng)高,，在制程上很難控制,，因此在實(shí)際應(yīng)用上都是使用稀釋后的hf溶液，或是添加nh4f作為緩沖劑的混合液,，來(lái)進(jìn)行二氧化硅的蝕刻,。nh4f的加入可避免---物離子的消耗，以保持穩(wěn)定的蝕刻速率,。而無(wú)添加緩沖劑hf蝕刻溶液常造成光阻的剝離,。典型的緩沖氧化硅蝕刻液(boe:bufferoxideetcher)(體積比6:1之nh4f(40%)與hf(49%))對(duì)于高溫成長(zhǎng)氧化層的蝕刻速率約為1000?/min。

在半導(dǎo)體制程中,，二氧化硅的形成方式可分為熱氧化及化學(xué)氣相沉積等方式,；而所采用的二氧化硅除了純二氧化硅外，尚有含有雜質(zhì)的二氧化硅如bpsg等,。然而由于這些以不同方式成長(zhǎng)或不同成份的二氧化硅,，其組成或是結(jié)構(gòu)并不完全相同，因此hf溶液對(duì)于這些二氧化硅的蝕刻速率也會(huì)不同,。但一般而言,，高溫?zé)岢砷L(zhǎng)的氧化層較以化學(xué)氣相沉積方式之氧化層蝕刻速率為慢，因其組成結(jié)構(gòu)較為致密,。

興之揚(yáng)吸塵器不銹鋼網(wǎng)片小編給大家介紹什么是鋁的濕式蝕刻:

鋁或鋁合金的濕式蝕刻主要是利用加熱的磷酸,、hno3、---及水的混合溶液加以進(jìn)行(1),。典型的比例為80%的磷酸,、5%的hno3、5%的---及10%的水,。而一般加熱的溫度約在35°c-45°c左右,，溫度越高蝕刻速率越快,，一般而言蝕刻速率約為1000-3000?/min，而溶液的組成比例,、不同的溫度及蝕刻過(guò)程中攪拌與否都會(huì)影響到蝕刻的速率,。

蝕刻反應(yīng)的機(jī)制是藉由hno3將鋁氧化成為氧化鋁，接著再利用磷酸將氧化鋁予以溶解去除,，如此反復(fù)進(jìn)行以達(dá)蝕刻的效果,。

在濕式蝕刻鋁的同時(shí)會(huì)有氫氣泡的產(chǎn)生，這些氣泡會(huì)附著在鋁的表面,，而局部地抑制蝕刻的進(jìn)行,，造成蝕刻的不均勻性，可在蝕刻過(guò)程中予于攪動(dòng)或添加催化劑降低接口張力以避免這種問(wèn)題發(fā)生,。