電路板上的元件容易被靜電l擊穿方式
電路板上的元件容易被靜電l擊穿方式
靜電l擊穿分析。
一種esd敏感裝置,,mos管本身的輸入電阻很大,,而且柵源極間電容非常小,因此極易受到外部電磁場或靜電的影響而帶電(極間電容上有少量電荷可形成較高的電壓(如u=q/c)使管子受損),,又由于在靜電較強的情況下不易放出電荷,,容易造成靜電l擊穿。
靜電l擊穿有兩種方式:
一是電壓型,,即柵極的薄氧化層被擊穿,,導(dǎo)致柵極與源極之間或柵極與漏極之間發(fā)生短路;
二是功率型,,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,,導(dǎo)致柵極與源極之間或柵極之間發(fā)生短路。和mos管一樣,,jfet管也有---的輸入電阻,,只是mos管的輸入電阻較高。
反偏型pn結(jié)比正偏型pn結(jié)更易發(fā)生熱失效,,反偏型pn結(jié)破壞所需能量僅為正偏型pn結(jié)的十分之一,。因為反偏時,大部分能量消耗在結(jié)區(qū)中心,,而正偏時,,則更多地消耗在結(jié)區(qū)外的體阻。對雙極器件而言,,發(fā)射結(jié)的面積一般都小于其他結(jié),,并且其結(jié)面與表面的距離較近,,因此,往往可以看到發(fā)射結(jié)的退化現(xiàn)象,。另外,,擊穿電壓大于100v或漏泄電流小于1na(如jfet的柵結(jié))的pn結(jié)比相同尺寸的普通pn結(jié)對靜電放電更敏感。
雖然開關(guān)電源由于負(fù)載類型,、功率需求和控制方式的不同,,其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)各不相同,但是開關(guān)電源中的pfc控制單元和pwm控制單元是實現(xiàn)調(diào)頻廣播發(fā)l射機高信號傳輸和發(fā)射的關(guān)鍵,。另外,,在使用過程中,要充分了解設(shè)備的工作狀態(tài)和故障現(xiàn)象,,不斷總結(jié)經(jīng)驗教訓(xùn),,以利于掌握開關(guān)電源的故障特征,提高fm廣播發(fā)l射機的維護(hù)水平,,---設(shè)備處于正常的工作狀態(tài),。
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