薄膜電容廠(chǎng)家說(shuō)說(shuō)電容器很快就出問(wèn)題的原因
操作過(guò)電壓引起電容器的損壞：
切斷并聯(lián)電容器組時(shí),，可能引起電感一電容回路的振蕩過(guò)程,。從而產(chǎn)生操作過(guò)電壓，切斷過(guò)程中,，cl21電容廠(chǎng)家,，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起---的電磁振蕩,，出現(xiàn)更高的過(guò)電壓值.這一過(guò)電壓的幅值，與被切電容和母線(xiàn)側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時(shí)觸頭間的電位差有關(guān),；
運(yùn)行溫度過(guò)高造成cbb電容器損壞的原因
戶(hù)外式cbb電容器日光直接照射：cbb電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線(xiàn)路上時(shí),，由于日光直接照射下，由于超溫運(yùn)行原因,，年損壞率---,，有的可達(dá)百分之十左右。尤以裝于戶(hù)外鐵質(zhì)配電箱中,，散熱---,，夏季損壞率---高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時(shí),，也會(huì)集中造成損壞,；
環(huán)境溫度過(guò)高：目前cbb電容器周?chē)諝鉁囟认蛋匆?5-40攝氏度設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度不超過(guò)40攝氏度的要求,，在我國(guó)許多地區(qū)難以滿(mǎn)足,。因此，新型的低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置,，其周?chē)諝鉁囟认蛋匆?0-55攝氏度設(shè)計(jì),；
---的解決溥膜電容頻率高，總線(xiàn)周期---快的情況,，蘇州薄膜電容廠(chǎng)家為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：
減小信號(hào)傳輸中的畸變：
微控制器主要采用高速cmos技術(shù)制造,。信號(hào)輸入端靜態(tài)輸入電流在1ma左右，無(wú)錫電容,，輸入電容10pf左右,，輸入阻抗相當(dāng)高，高速cmos電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力,，即相當(dāng)大的輸出值,，將一個(gè)門(mén)的輸出端通過(guò)一段很長(zhǎng)線(xiàn)引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問(wèn)題就很---,，它會(huì)引起信號(hào)畸變,，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)tpd＞tr時(shí),，就成了一個(gè)傳輸線(xiàn)問(wèn)題,，必須考慮信號(hào)反射，阻抗匹配等問(wèn)題,。
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