一,、電位器動(dòng)噪聲原因分析
一段時(shí)期來(lái),，我廠φ12,，φ16，φ30mm直滑式電位出現(xiàn)了較---的動(dòng)噪聲超差現(xiàn)象,，動(dòng)噪聲---50～80mv，造成了較大的---,。為此成立了攻關(guān)課題小組,，對(duì)動(dòng)噪聲超差的原因進(jìn)行詳細(xì)的分析、試驗(yàn)和探討,。對(duì)大量的電位器樣品進(jìn)行了測(cè)試,、解剖和分析，發(fā)現(xiàn)對(duì)于線性特性電位器,。動(dòng)噪聲超差點(diǎn)出現(xiàn)在j部與h部得搭接處如圖1所示,，傳感器電阻片印刷，對(duì)于指數(shù)或?qū)?shù)曲線電位器動(dòng)噪聲超差點(diǎn)出現(xiàn)在m部與h部的搭接如圖2所示,。我們對(duì)搭接處坡高進(jìn)行了測(cè)量,，發(fā)現(xiàn)噪聲大的碳膜片相對(duì)較高且較陡，而噪聲低的碳膜片坡高相對(duì)較低且腳平緩,。對(duì)這一現(xiàn)象的分析認(rèn)為正是由于搭接處形成一階梯狀的結(jié)構(gòu),，使電刷早滑動(dòng)到搭接處是時(shí)產(chǎn)生了所謂的“跳躍效應(yīng)”，引起電刷與膜片的電氣接觸時(shí)間中斷,，從而引起動(dòng)噪聲超差,。那么因素，溫州傳感器電阻片,，在漿料及碳膜片制造工藝過(guò)程中,，為了找出主要因素，進(jìn)行了試驗(yàn),。
二,、試驗(yàn)過(guò)程中及數(shù)據(jù)
1、 漿料制造過(guò)程中,，傳感器電阻片生產(chǎn),，樹脂對(duì)動(dòng)噪聲的影響
選用兩批樹脂進(jìn)行了對(duì)比試驗(yàn)這兩批樹脂是同一間廠家的同一品種但不同批量樹脂，其中一批樹脂粘度較高,。把這兩批樹脂各按標(biāo)準(zhǔn)配方與其它原材料配合按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)出來(lái)漿料,，分別在絲網(wǎng)印-上印刷一品種同一阻值的碳膜片。各裝配成一批電位器,，各隨機(jī)抽樣20只,，并對(duì)其動(dòng)噪聲進(jìn)行測(cè)量，數(shù)據(jù)對(duì)比比如表1.
從表1的試驗(yàn)數(shù)據(jù)中可明顯看出,，在同樣的生產(chǎn)條件下,，由粘度較高的樹脂制備的漿料所生產(chǎn)的碳膜片裝配而成的電位器動(dòng)噪聲遠(yuǎn)大于粘度適中樹脂所生產(chǎn)的碳膜片裝配而成的電位器動(dòng)噪聲,。由此所見，樹脂基是影響電位器動(dòng)噪聲的一個(gè)主要因素,。
2,、 漿料配方中客額量對(duì)動(dòng)噪聲的影響
在漿料的輥軋過(guò)程中，配方中的溶劑是影響輥軋時(shí)間,，進(jìn)而影響棍軋漿料的的一個(gè)因素,。這是因?yàn)樵诮袧{料輥軋過(guò)程中，輥軋時(shí)間與溶劑量廠正比,，如果溶劑量過(guò)少,，那么輥軋時(shí)時(shí)間就會(huì)較短，從而漿料輥軋不充分,，使?jié){料變差,。未了進(jìn)行對(duì)比，我們做了如下試驗(yàn),，配制兩種同類漿料,，陶瓷傳感器電阻片，一種按標(biāo)準(zhǔn)溶劑量進(jìn)行配合,，另一種溶劑量減半,，
1、厚膜技術(shù)：用絲網(wǎng)印刷或噴涂等方法,，將電子漿料涂覆在陶瓷基板上,，制成所需圖形，再經(jīng)過(guò)燒結(jié)或聚合制造出厚膜元器件和集成電路的技術(shù),。
簡(jiǎn)稱印—燒技術(shù)
2,、厚膜技術(shù)的發(fā)展
厚膜技術(shù)起源于古代—唐三彩
?厚膜印—燒技術(shù)應(yīng)用到電路上只有幾十年的歷史。
?1943年美國(guó)centralab公司為的無(wú)線電引信生產(chǎn)了一種小型振蕩－放大電路標(biāo)志著厚膜混合微電路的誕生,。
?1948年晶體管的發(fā)明使有源器件的體積---縮小,，促進(jìn)了電路由體積型結(jié)構(gòu)向平面型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化，產(chǎn)生了真正---的平面化的厚膜混合電路并開始在工業(yè)產(chǎn)品和消費(fèi)類產(chǎn)品中應(yīng)用,。
?1959年-厚膜混合集成電路問(wèn)世,，并于1962年開始批量生產(chǎn)。
?1965年美國(guó)ibm公司首先將厚膜ic應(yīng)用于電子計(jì)算機(jī)并獲得成功,，厚膜技術(shù)和厚膜ic進(jìn)入成熟和大量應(yīng)用,。
?1975年厚膜導(dǎo)體漿料、介質(zhì)漿料有了新發(fā)展,，使細(xì)線工藝和多層布線技術(shù)有了突破,，促進(jìn)了厚膜ic的組裝密度得到---提高并使“二次集成”成為可能。
?1976年混合-厚膜ic出現(xiàn),。
?1980年至目前為---規(guī)�,；旌霞呻A段,，現(xiàn)已能在厚膜技術(shù)基礎(chǔ)上綜合利用半導(dǎo)體技術(shù)、薄膜技術(shù)和其它技術(shù)成就,，可以制造能完成功能很復(fù)雜的---規(guī)模的功能塊電路,。
厚膜混合集成電路的材料
在厚膜混合集成電路中，基片起著承載厚膜元件,、互連,、外貼元件和以及包封等作用，在大功率電路中,，基片還有散熱的作用。厚膜電路對(duì)基片的要求包括：平整度,、光潔度高;有---的電氣性能;高的導(dǎo)熱系數(shù);有與其它材料相匹配的熱膨脹系數(shù);有---的機(jī)械性能;高穩(wěn)定度;---的加工性能;價(jià)格便宜,。通常厚膜電路選擇 96% 的氧化鋁陶瓷基片，如果需要散熱條件---的基片則可選擇---基片,。
在厚膜混合集成電路中,，無(wú)源網(wǎng)絡(luò)主要是在基片---各種漿料通過(guò)印刷成圖形并經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。使用的材料包括：導(dǎo)體漿料,、介質(zhì)漿料和電阻漿料等,。
厚膜導(dǎo)體是厚膜混合集成電路中的一個(gè)重要組成部分，在電路中起有源器件的互連線,、多層布線,、電容器電極、外貼元器件的引線焊區(qū),、電阻器端頭材料,、低阻值電阻器、厚膜微帶等作用,。導(dǎo)體漿料中,，通常的厚膜混合集成電路使用的是鈀銀材料，在部分電路和---電路中使用的是金漿料,，在部分要求不高的電路中使用的是銀漿料,。
厚膜電阻漿料也是厚膜混合集成電路中的一個(gè)重要組成部分，用厚膜電阻漿料制成的厚膜電阻是應(yīng)用廣泛和重要的元件之一,。厚膜電阻漿料是由功能組份,、粘結(jié)組份、有機(jī)載體和改性劑組成,，一般選用美國(guó)杜邦公司的電阻漿料,。
厚膜介質(zhì)漿料是為了實(shí)現(xiàn)厚膜外貼電容的厚膜化、步線導(dǎo)體的多層化以及厚膜電阻的性能參數(shù)不受外部環(huán)境影響而應(yīng)用的,。包括電容介質(zhì)漿料,、交叉與多層介質(zhì)漿料和包封介質(zhì)漿料,。
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