koan 晶體采用不同大小激勵功率測試以提高穩(wěn)定性

弛豫效應(yīng)：加在晶片上的機(jī)械應(yīng)力---間的推移而松弛時,，會引起頻率的漂移，高頻諧振器品牌,，因此要選擇合適的激勵功率,，使晶片的自身應(yīng)力和電極施于晶片的應(yīng)力發(fā)生變化，應(yīng)力的變化又導(dǎo)致因應(yīng)力弛豫效應(yīng)引起的老化速率發(fā)生變化,。另外,，激勵功率變化,，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上遷移引起的老化速率,，可能抵消兩種老化速率,。

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晶體諧振器的電性能參數(shù)

koan 諧振器之負(fù)載電容 cl：也稱晶體的調(diào)整電容，---電路需與之匹配或反之,。負(fù)載電容可大可小,。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大,，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率,，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振,；

負(fù)載電容值小,，高頻諧振器廠商，容易調(diào)整頻率,，近端相噪好,，易起振，功耗低,。電路匹配電容加上電路雜散電容,，愈接近晶體負(fù)載容量cl，目標(biāo)頻率愈

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