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通過控制電流電壓、電解液組分和工藝參數(shù),，就能地控制膜層的厚度,、化學組分、晶粒組織,、晶粒大小和孔隙率等,；(2)適合于制備純金屬納米晶膜、合金膜及復合材料膜等各種類型膜層,；(3)電沉積過程,，過電勢是主要推動力，容易實現(xiàn),、工藝靈活,、易轉(zhuǎn)化；(4)可在常溫常壓下操作,，納米晶磁環(huán)報價,，節(jié)約了能源，避免了高溫引入的熱應力,；(5)電沉積易使沉積原子在單晶基質(zhì)上外延生長,，易得到較好的外延生長層；(6)有---的經(jīng)濟性和較高的生產(chǎn)率,，初始投資低,。 [1]




納米晶材料由納米級尺寸(1~10nm)的晶體所組成的材料。由于晶體極細,，納米晶磁環(huán)生產(chǎn)商,，故晶界可占整個材料的50%或更多。其原子排列既不同于有序的結(jié)晶態(tài),，也不同于無序的非晶態(tài)(玻璃態(tài)),。其性能也不同于相同成分的晶體或非晶體。制備過程包括：在惰性氣體中(0.1~1kpa)將材料熱蒸發(fā),，而后凝聚成納米級尺寸的晶體,，將此種細小粉末括下，壓實,。也可用噴濺法,、電子槍或激光法代替熱蒸發(fā)法。也可用球磨、氣相合成或凝膠分解等方法制備納米級晶體,。




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