振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：回收硅片，電池片,，初級(jí)多晶硅,，銀漿布，單晶硅,，多晶硅,，太陽能電池，光伏組件,，太陽能電池板,，客戶撤退，降級(jí),，庫存，el,，---測(cè)試,，二手，舊工程,，拆卸,，路燈，拆解電站,，拆卸,，膠合板，層壓板,，無邊界晶體硅,，多晶硅,，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板,，---償還,，返工，光伏模塊回收等,。

晶體硅電池片檢驗(yàn)方法：

2 外觀目測(cè)：

a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色,，目視顏色均勻 一致 ，無明顯色差花斑,、水痕,、手印、劃痕及污垢,。

b. 隱裂：電池片有隱裂,、 肉眼可見的裂紋， 均視為不合格

c. 背面鋁背電極完整,，表面平整 ,、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ,， 脫落 3mm 2   / 個(gè) ≤ 5mm 2 ,、鼓泡累計(jì)面積≤5mm

2  ,  背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度?   背膜燒結(jié)：用層壓機(jī) 130 — 145 度，超過 10 分鐘,。冷卻到室溫后,，用刀片隔開 1cm 的寬度，用大于 50n 的拉力,，鉛膜不隨 eva 脫落,，則認(rèn)為合格。

d. 受光面柵線：主柵線均勻完整,，柵線印刷清晰,、對(duì)稱；主柵線與細(xì)柵線處允許≤ 1mm ,；細(xì)柵線允許≤ 2mm 的脫落,；柵線印刷偏離，明顯兩次印刷的返工片視為不合格,；斷點(diǎn)的總數(shù)≤ 60mm,。

e. 崩邊：每一邊不超過兩處崩邊，崩邊間距*** 30mm ,、---≤ 0.5 片子厚度,、面積≤ mm 2

f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ，數(shù)量不超過 2 個(gè)。缺角：一邊有一處崩邊,，面積≤5mm 2 ,，一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2

g. 電池的崩邊,、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求：長度不大于 1.5mm ,，由邊緣向中心的---不大于 0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處,。同時(shí)不允許電池上 v 形缺口,。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：回收硅片，電池片,，初級(jí)多晶硅,，銀漿布，單晶硅,，多晶硅,，太陽能電池，光伏組件,，太陽能電池板,，客戶撤退，降級(jí),，庫存,，el，---測(cè)試,，二手,，舊，工程,，拆卸,，路燈，拆解電站,，拆卸,，膠合板，層壓板,，無邊界晶體硅,，多晶硅，單晶硅,，實(shí)驗(yàn)板，---償還,，返工,，光伏模塊回收等。

擴(kuò)散工藝

擴(kuò)散目的

在來料硅片 p 型硅片的基礎(chǔ)上擴(kuò)散一層 n 型磷源，形成 pn 結(jié),。

擴(kuò)散原理

pocl 3 在高溫下 >; 600 ℃ 分解生成五--- pcl 5 和五氧化二磷 p 2 o 5 ,， 其反應(yīng)式如下 ：

5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5

生成的 p 2 o 5 在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng) ， 生成二氧化硅 sio 2 和磷原子 ,， 其反應(yīng)式如下 ：

2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2  + 4ppocl 3

熱分解時(shí),，如果沒有外來的氧 o 2 參與其分解是不充分的，生成的 pcl5 是不易分解的,，并且對(duì)硅有腐蝕作用,，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來 o2 存在的情況下,， pcl 5 會(huì)進(jìn)一步分解成 p2o 5 并放出--- cl 2 其反應(yīng)式如下：  

4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2

生成的 p 2 o 5 又進(jìn)一步與硅作用,，生成 sio 2 和磷原子，由此可見,，在磷擴(kuò)散時(shí),，為了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣,。就這樣 pocl 3 分解產(chǎn)生的 p 2 o 5 淀積在硅片表面,， p 2o 5 與硅反應(yīng)生成 sio 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃,，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散,。