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asemi 20n10 插件mosfet場效應管
型號:20n10
封裝:to-220ab
漏極電流vds:20a
漏源電壓id:100v
工作溫度:-55℃~150℃
封裝形式:插件
種類:場效應晶體管/mosfet/mos管
品牌:asemi
首先考察一個更簡單的器件--mos電容--能-的理解mos管,。這個器件有兩個電極,,一個是金屬,另一個是extrinsic silicon(外在硅),,他們之間由一薄層二氧化硅分隔開,。
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mos管mosfet/場效應管的主要參數(shù):
7. 極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf,,cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數(shù)nf
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的,。·由于它的存在,,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,,在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)nf來表示,,它的單位為分貝(db)。這個數(shù)值越小,,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
·場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝,,它比雙極性三極管的要小
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什么是增強型mos管?
增強型是通過“加厚”導電溝道的厚度來導通,,由上圖可以看出,,柵極電壓越低,則p型源,、漏極的正離子就越靠近中間,,n襯底的負離子就越遠離柵極,柵極電壓達到一個值,,叫閥值或坎壓時,,由p型游離出來的正離子連在一起,,25n120場效應管,,形成通道,就是圖示效果,。因此,,容易理解,柵極電壓必須低到一定程度才能導通,,10n60_場效應管,,電壓越低,場效應管,,通道越厚,,導通電阻越小。由于電場的強度與距離平方成正比,,因此,,電場強到一定程度之后,電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了,,也是因為n型負離子的“退讓”是越來越難的,。耗盡型的是事先做出一個導通層,24n50場效應管,,用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導通,。但這種管子一般不生產(chǎn),在市面基本見不到,。所以,,大家平時說mos管,就默認是增強型的,。
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