用otdr進(jìn)行光纖測(cè)量可分為三步：參數(shù)設(shè)置,、數(shù)據(jù)獲取和曲線分析,。人工設(shè)置測(cè)量參數(shù)包括： (1)波長(zhǎng)選擇(λ)：

(2)脈寬(pulse width)：

(3)測(cè)量范圍(range)：

　　otdr測(cè)量范圍是指otdr獲取數(shù)據(jù)取樣的距離，此參數(shù)的選擇決定了取樣分辨率的大小,。測(cè)量范圍為待測(cè)光纖長(zhǎng)度1.5～2倍距離之間,。

(4)平均時(shí)間：

(5)光纖參數(shù)：

　　光纖參數(shù)的設(shè)置包括折射率n和后向散射系數(shù)n和后向散射系數(shù)η的設(shè)置。折射率參數(shù)與距離測(cè)量有關(guān),，后向散射系數(shù)則影響反射與回波損耗的測(cè)量結(jié)果,。這兩個(gè)參數(shù)通常由光纖生產(chǎn)廠家給出。

材料玻璃纖維光纖芯數(shù)/種類單芯 / smf(g.652),，維修,， mmf(g.651)， dsf(g.653),， nzdsf(g.655),， bif(g.657)光纖外徑包層直徑:80um - 150um，黑馬熔接機(jī)放電壞了維修,，涂覆層直徑:100um - 1,，000um切斷長(zhǎng)度5 - 16mm (使用涂覆壓夾)標(biāo)準(zhǔn)熔接損耗 ***1smf:0.03db，維修韓國(guó)黑馬熔接機(jī),， mmf:0.01db,， dsf:0.04db， nzdsf:0.04db標(biāo)準(zhǔn)反射衰減大于60db熔接時(shí)間7秒 (sm g652 quick模式),，9秒 (auto模式)加熱時(shí)間20秒 (使用fps-61-2.6熱縮套管,，slim 60mm quick模式下)電池使用次數(shù)(含熔接和加熱補(bǔ)強(qiáng)) ***2約115次(bu-11s)光纖觀察/放大倍數(shù)2個(gè)cmos照相機(jī)觀察200倍(變焦:525x)「x或y單軸」，黑馬光纖熔接機(jī)顯示屏維修,， 88倍「x/y雙軸」 熔接點(diǎn)張力試驗(yàn)1.96 - 2.09n加熱補(bǔ)強(qiáng)保護(hù)套管規(guī)格60mm,， 40mm 以及住友nano熱縮套管

6秒穩(wěn)定熔接250倍纖芯對(duì)準(zhǔn)4000次電極放電5800mah可插拔鋰電池滿足200芯熔接機(jī)熱塑技術(shù)參數(shù)：適用光纖sm(單模),，mm(多模)ds(色散位移)，nzds(非零色散位移)包層直徑80～150μm涂覆層直徑160～900μm典型熔接損耗sm: 0.02db; mm: 0.01db; ds: 0.04db; nzds: 0.04db回波損耗優(yōu)于60db切割長(zhǎng)度10～16mm被覆光纖直徑＜250μm; 16mm被覆光纖直徑250～1000μm熔接程序40組操作模式手動(dòng),、自動(dòng)加熱具備自動(dòng)加熱功能典型熔接時(shí)間8秒

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