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噴射型ap等離子處理系統(tǒng)crf-apo-dp1010-d
名稱name 噴射型ap等離子處理系統(tǒng)
型號model crf-apo-dp1010-d
電源power supply 220v/ac,50/60hz
功率power 1000w/25khz
處理高度processing ht= 5-15mm
處理寬幅processing width 1-6mmoption
內部控制模式internal control mode 數(shù)字控制
外部控制模式external control mode rs485/rs232數(shù)字通訊口,、
模擬量控制口 工作氣體gas
compressed air 0.4mpa

產(chǎn)品特點：可選配多種類型噴嘴,，使用于不同場合，滿足各種不同產(chǎn)品和處理環(huán)境,；
具有rs485/232數(shù)字通訊口和模擬量控制口,，滿足客戶多元化需求。
設備尺寸小巧,，方便攜帶和移動,，節(jié)省客戶使用空間；
可in-line式安裝于客戶設備產(chǎn)線中,，減少客戶投入成本,；
使用---，保養(yǎng)維修成本低,，便于客戶成本控制,；
應用范圍：主要應用于電子行業(yè)的手機殼印刷、涂覆、點膠等前處理,，手機屏幕的表面處理,；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷,、轉移印刷前處理等,。
隨著半導體技術的發(fā)展，對技術的要求越來越高,，---是半導體圓片的表面要求越來越嚴格,，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質污染---影響設備的和成品率，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中,，圓片表面污染問題,，還有50%以上的材料損失。
在半導體生產(chǎn)過程中,，幾乎每個過程都需要清洗，圓片清洗對設備性能有影響,。正因為圓片清洗是半導體制造技術中重要,、頻繁的步驟，其技術直接影響設備的成品率,、性能和---性,，各大公司、研究機構等對清洗技術的研究不斷進行,。等離子清洗作為一種---的干式清洗技術,，具有---等特點，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展,，等離子清洗機在半導體行業(yè)的應用也越來越多,。
半導體污染雜質及分類。
半導體制造需要一些有機物和無機物參與完成,。此外,，由于工藝總是由人們參與凈化室，半導體圓片不可避免地會被各種雜質污染,。根據(jù)污染物的來源,、性質等，大致可分為粒子,、有機物,、金屬離子和氧化物4種。
顆粒,。
粒子主要是聚合物,、光刻膠、蝕刻雜質等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面,，影響設備雕刻工序幾何圖形的形成和電學參數(shù),。這種污染物的去除方法主要用物理或化學方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積,，終去除,。
有機物。
有機物雜質的來源比較廣泛,，如人的皮膚油脂,、、機械油,、真空油,、光刻膠、清洗溶劑等,。這種污染物通常在圓形表面形成有機物薄膜,，阻止清洗液到達圓形表面，圓形表面清洗不完全,，清洗后金屬雜質等污染物仍完全保留在圓形表面,。
金屬。
半導體技術中常見的金屬雜質有鐵,、銅,、鋁、鉻,、鎢,、鈦、鈉,、鉀,、鋰等，這些雜質的來源主要有各種器皿,、配管,、化學試劑、半導體圓片加工中,，在形成金屬連接的同時,，也產(chǎn)生了各種金屬污染。這種雜質的去除通常采用化學方法,，通過各種試劑和化學制成的清洗液和金屬離子反應,，形成金屬離子的結合物，脫離圓片表面,。
氧化物,。
半導體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層,。該氧化膜不僅妨礙了半導體制造的許多步驟，還包括金屬雜質,，在一定條件下轉移到圓片中形成電氣缺陷,。該氧化膜的去除通常用稀---浸泡。
等離子清洗機在半導體晶圓清洗技術中的應用等離子清洗技術簡單,，操作方便,，無廢棄物處理和環(huán)境污染等問題。但是,，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物,。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術，在等離子體反應系統(tǒng)中加入少量氧氣,，在強電場的作用下,，使氧氣產(chǎn)生等離子體，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質,。該清洗技術具有去膠技術操作方便,、---、表面清潔,、無損傷,、有利于---產(chǎn)品等優(yōu)點，不使用酸,、堿等，越來越受到重視,。

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