氧化膜的生長(zhǎng)過程就是氧化膜不斷生成和不斷溶解的過程,。
第三段c曲線cd段：多孔層增厚。陽(yáng)極氧化約20s后,，電壓進(jìn)入比較平穩(wěn)而緩慢的上升階段,。表明無(wú)孔層在不斷地被溶解形成多孔層的同時(shí)，新的無(wú)孔層又在生長(zhǎng),，也就是說氧化膜中無(wú)孔層的生成速度與溶解速度基本上達(dá)到了平衡,，故無(wú)孔層的厚度不再增加，電壓變化也很小,。但是,，此時(shí)在孔的底部氧化膜的生成與溶解并沒有停止，他們?nèi)栽诓粩噙M(jìn)行著，結(jié)果使孔的底部逐漸向金屬基體內(nèi)部移動(dòng),。隨著氧化時(shí)間的延續(xù),，孔穴加深形成孔隙，具有孔隙的膜層逐漸加厚,。當(dāng)膜生成速度和溶解速度達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),，即使再延長(zhǎng)氧化時(shí)間，氧化膜的厚度也---增加,，此時(shí)應(yīng)停止陽(yáng)極氧化過程,。陽(yáng)極氧化特性曲線與氧化膜生長(zhǎng)過程。
氧化膜的生長(zhǎng)過程就是氧化膜不斷生成和不斷溶解的過程,。
第二段b曲線bc段：多孔層形成,。隨著氧化膜的生成，電解液對(duì)膜的溶解作用也就開始了,。由于生成的氧化膜并不均勻,，在膜很薄的地方將首先被溶解出空穴來，鋁氧化廠家,，電解液就可以通過這些空穴到達(dá)鋁的新鮮表面,，電化學(xué)反應(yīng)得以繼續(xù)進(jìn)行，電阻減小,，臺(tái)州鋁氧化,，電壓隨之下降下降幅度為---值的10～15%，膜上出現(xiàn)多孔層,。
影響陽(yáng)極氧化氧化膜的因素主要有：
氧化時(shí)間：氧化時(shí)間的選擇,，取決于電解液濃度，溫度,，陽(yáng)極電流密度和所需要的膜厚,。相同條件下，當(dāng)電流密度恒定時(shí),，鋁氧化加工,，膜的生長(zhǎng)速度與氧化時(shí)間成正比；但當(dāng)膜生長(zhǎng)到一定厚度時(shí),，由于膜電阻升高,，影響導(dǎo)電能力，鋁氧化價(jià)格,，而且由于溫升,，膜的溶解速度增大,，所以膜的生長(zhǎng)速度會(huì)逐漸降低,，到后面不再增加。
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