氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料,，氧化鋅晶體批發(fā)，具有優(yōu)良的光電,、導電,、壓電、氣敏,、壓敏等特性,。氧化鋅zno晶體具有四種晶體結構，閃鋅礦結構(與金剛石類似,，氧化鋅晶體襯底基片,，可看成氧原子fcc排列，4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);nac結構;cscl結構(氧原子簡單立方排列,，鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。
氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體,，其可直接躍 遷,，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外,，與其它半導體材料(gan :21mev,、znse :20mev)相比， 其激子結合能(zno :60mev)非常大,，氧化鋅晶體單晶批發(fā),，因此，可期待將其用作---的發(fā)光器件材料,。氧化鋅zno晶體具有四種晶體結構,，閃鋅礦結構(與金剛石類似，可看成氧原子fcc排列,，氧化鋅晶體,，4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);nac結構;cscl結構(氧原子簡單立方排列,，鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結構(六方結構，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列),。
基于氧化鋅zno的紫外激光器的實現(xiàn)掀起了對于傳統(tǒng)的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,，因此對氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實踐意義.目前生長氧化鋅zno的方法有助熔劑法、水熱法,、氣相法和坩堝下降法等等,，但所生長的氧化鋅zno單晶的尺寸和都有待于提高.氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩(wěn)定,，不容易由熔體直接生長,。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長,。
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