用基于原子層控制異質(zhì)外延技術(shù),，在硅基上實現(xiàn)了---面層外延生長，制備出高介電常數(shù)的鋁酸---薄膜,，降低了超薄高介電常數(shù)薄膜漏電流,，解決了下一代場效應(yīng)器件的關(guān)鍵技術(shù)之一。鋁酸---晶體具有鈣鐵礦型結(jié)構(gòu).在溫度大約為800k時,，該結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了一個從立方到三角的相變,，對于晶體中的順磁離子，相變會引起一些能級的分裂,，并發(fā)生erpg因子從各向同性到各向---的轉(zhuǎn)變,。

鋁酸---的制備方法主要有：燃燒合成法、共沉淀法,、均勻沉淀法,、溶膠凝膠法,、醇鹽水解法和液相混---。---,、鋁的源材料一般為金屬氧化物,、無機鹽或醇鹽,。鋁酸---晶體室溫為三角相,，空間群為r3c，鋁酸---(laalo3)晶體襯底,，屬反鐵電體;在高溫560°以上為立方相,，空間群為pm3m，屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu),。目前,，用來制備納米鋁酸---的方法很多，其中較常用的有：燃燒合成法,，共沉淀法,，溶膠凝膠法，醇鹽水解法,。在這些方法中燃燒法具有明顯的優(yōu)勢,。