基于氧化鋅zno的紫外激光器的實(shí)現(xiàn)掀起了對(duì)于傳統(tǒng)的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,，因此對(duì)氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實(shí)踐意義.目前生長(zhǎng)氧化鋅zno的方法有助熔劑法,、水熱法、氣相法和坩堝下降法等等,，但所生長(zhǎng)的氧化鋅zno單晶的尺寸和都有待于提高.氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化,，在較高的溫度下非常不穩(wěn)定，不容易由熔體直接生長(zhǎng),。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學(xué)氣相輸運(yùn)法,、水熱法和助熔劑法生長(zhǎng)。

基于氧化鋅zno的紫外激光器的實(shí)現(xiàn)掀起了對(duì)于傳統(tǒng)的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,，因此對(duì)氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實(shí)踐意義,。氧化鋅zno晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;,、<11-20>;,、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm,、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm,、5×5×0.5mm可按照客戶需求,，定制特殊方向和尺寸的襯底。