氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶,、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導(dǎo)體材料,,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電,、壓電,、氣敏、壓敏等特性,。氧化鋅zno晶體主要性能參數(shù):晶體結(jié)構(gòu):六方,;晶格常數(shù):a=3.252a c=5.313 a;密度:5.7g/cm3,;硬度:4mohs,;熔點:1975℃;熱膨脹系數(shù):6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c,;熱 容:0.125 cal /g.m,;熱電常數(shù):1200 mv/k @ 300 ℃;熱 導(dǎo):0.006 cal/cm/k,。
氧化鋅晶體生長研究進展??
當前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法,、水熱法、氣象沉積法,、坩鍋下降法等等,。
助熔劑法.助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體,通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑,,使熔體過飽和而結(jié)晶的方法,。采用這種方法制備氧---的是美國的nielsen等[12]人,得到(0001)取向的透明略微帶淺黃色的呈平板狀晶體(25mm!1mm),。1967年,,美國的a.b.chase和juditha.osmer用同樣的助熔劑應(yīng)用區(qū)域冷卻法(localizedcolling)在不同的溫度梯度下,以不同的降溫速率,,廣西氧化鋅晶體單晶,,利用氧---的自發(fā)成核制成了5mm!5mm!3mm的晶體。
采用化學氣相法在加熱溫度為300~500℃下進行試驗,,氧化鋅晶體單晶價格,,加熱溫度對氧化鋅zno晶體的外觀形貌有很重要的影響。氧化鋅zno是一致熔融化合物,,熔點為1975℃,。由于高溫下氧化鋅zno的揮發(fā)性很強,傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶,。目前,,氧化鋅晶體單晶供應(yīng)商,氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法,、水熱法和氣相生長法,。采用水熱法,可以從koh和lioh混合水溶液中生長zno晶體,。晶體呈淺綠色或淺黃色,,完整性較好,但尺寸還不夠大,,難以滿足工業(yè)應(yīng)用的需求,。
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