氧化鋅晶體生長研究進展??
當(dāng)前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法,、水熱法,、氣象沉積法,、坩鍋下降法等等。
助熔劑法.助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，氧化鋅晶體單晶供應(yīng)商，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑,，使熔體過飽和而結(jié)晶的方法。采用這種方法制備氧---的是美國的nielsen等[12]人,，得到(0001)取向的透明略微帶淺黃色的呈平板狀晶體(25mm!1mm),。1967年，美國的a.b.chase和juditha.osmer用同樣的助熔劑應(yīng)用區(qū)域冷卻法(localizedcolling)在不同的溫度梯度下,，吉林氧化鋅晶體單晶,，以不同的降溫速率,，利用氧---的自發(fā)成核制成了5mm!5mm!3mm的晶體。
氧化鋅zno的帶邊發(fā)射在紫外區(qū),，非常適宜作為白光led的激發(fā)光源材料,，-了氧化鋅zno在半導(dǎo)體照明工程中的重要-，氧化鋅zno具有資源豐富,、價格低廉,、高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，氧化鋅晶體單晶價錢,，-的抗輻照損傷能力，適合做長壽命器件等多方面的優(yōu)勢,。氧化鋅zno晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體,。zno晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分,，兩種成分的含量差不多,，因而使得zno晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強，導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變,。
眾所周知氧化鋅zno作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,，氧化鋅晶體單晶價格，具有纖鋅礦結(jié)構(gòu),，在室溫下具有較強的激光發(fā)射性能,，特殊形貌的氧化鋅在上述諸多方面的優(yōu)---能正在被開發(fā)，為此,，各種形貌氧化鋅晶體的可控制備研究引起了人們的廣泛興趣,。目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt,、助熔劑法,、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的zno晶體,，這證明水熱法是一種生長高,、大尺寸zno單晶體的有效的方法。
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