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真空電鍍設(shè)備主要分為:中頻磁控真空電鍍設(shè)備、uv真空電鍍設(shè)備,、小型真空電鍍設(shè)備等,。
真空鍍膜
主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜.濺鍍薄膜的性質(zhì),、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多.新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,陶瓷真空電鍍,,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,,六盤水真空電鍍,提高濺鍍速率.一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用rf交流濺鍍,,真空電鍍加工,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(ar)離子撞擊靶材(target)表面,,電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,,金屬真空電鍍,這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜.
電鍍的表面積越大,中心部位與邊緣的光澤差別也越大,,略帶拋物面能---鍍面光澤的均勻性,。
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