氧化鋅zno單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光,、壓電,、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動(dòng)通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料,；此外,，氧化鋅zno與gan的晶格失配度---小，是gan外延生長(zhǎng)zui理想的襯底材料,。常見的氧化鋅zno屬六方晶系,，纖鋅礦結(jié)構(gòu)，點(diǎn)群為6mm,，空間群為p6mc,，z=2，a=0.32488mm,，zno晶體基片,，c=0.51969mm。zno晶體中,，z離子和o離子沿c軸交替堆積,，(o001)面終結(jié)于正電荷z離子，(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷o離子,，氧化鋅zno晶體,，因此，氧化鋅zno單晶具有極性,。

氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶,、直接帶隙的多功能ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的光電,、導(dǎo)電,、壓電、氣敏,、壓敏等特性,。zno半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能---60mev,，使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方---有很大潛在應(yīng)用價(jià)值,。制備難度和---的應(yīng)用前景使得氧化鋅晶體的生長(zhǎng)技術(shù)成為材料研究的---。氧化鋅晶體可控生長(zhǎng)的關(guān)鍵是控制成核和生長(zhǎng)過程,，而試驗(yàn)中各工藝參數(shù)決定著成核和生長(zhǎng)過程,，控制了氧化鋅晶體的尺寸。