氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶,、直接帶隙的多功能ⅱ-ⅵ族半導體材料，氧化鋅zno晶體,，具有優(yōu)良的光電,、導電,、壓電,、氣敏,、壓敏等特性,。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體,，其可直接躍遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大,。氧化鋅的熱穩(wěn)定性和熱傳導性較好，zno晶體廠家,，而且沸點高,，熱膨脹系數(shù)低,，zno晶體基片,，在陶瓷材料領域有用武之地。

氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料,，禁帶寬度為3.37ev,；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev),、zns(39mev)。大尺寸氧化鋅晶體的形態(tài)可控生長的關鍵是控制成核和生長過程,。晶核的結晶形態(tài)決定著晶體的形態(tài)，生長過程的環(huán)境條件也影響著晶體的生長過程,。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義,。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法,，水熱法和助熔劑法。