氧化鋅晶體可控生長(zhǎng)的關(guān)鍵是控制成核和生長(zhǎng)過(guò)程,而試驗(yàn)中各工藝參數(shù)決定著成核和生長(zhǎng)過(guò)程,控制了氧化鋅晶體的尺寸。在氧化時(shí)間為90min,空氣流量為0.31/min,氮?dú)饬髁繛?.31/min,鋅揮發(fā)溫度為900℃,,晶體反應(yīng)器溫度為1150℃時(shí),我們制備出大尺寸的氧化鋅晶體,,長(zhǎng)度達(dá)到30mm,,直徑達(dá)到1mm,實(shí)現(xiàn)了氧化鋅晶體尺寸的可控生長(zhǎng),。zno是一種典型的寬帶隙半導(dǎo)體材料,,氧化鋅晶體單晶批發(fā),高zno晶體的生長(zhǎng)具有非常重要的研究意義,。目前,,氧化鋅晶體,zno晶體的生長(zhǎng)方法主要有氣相法,,水熱法和助熔劑法,。
在各種具有四面體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料中,氧化鋅有著高的壓電張量,。該特性使得氧化鋅成為機(jī)械電耦合重要的材料之一,。改變正交表中的四個(gè)因素煅燒時(shí)間、分散介質(zhì),、鋅銨比和煅燒溫度,,氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化,氧化鋅晶體多少錢(qián),,但晶型保持不變,。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體,,通過(guò)緩慢冷卻或在恒定溫度下通過(guò)蒸發(fā)熔劑,氧化鋅晶體批發(fā),,使熔體過(guò)飽和而結(jié)晶的方法,。
氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大,透明度高,,有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能,,在半導(dǎo)體領(lǐng)域的液晶顯示器、薄膜晶體管,、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應(yīng)用,。改變正交表中的四個(gè)因素煅燒時(shí)間、分散介質(zhì),、鋅銨比和煅燒溫度,,氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化,但晶型保持不變,。zno半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37ev,,且束縛激子能-60mev,使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方-有很大潛在應(yīng)用價(jià)值,。
|