華科智源igbt測(cè)試儀針對(duì) igbt 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；自動(dòng)化程度高按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作,，檢修用igbt測(cè)試儀價(jià)格,，計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ),，檢修用igbt測(cè)試儀,，測(cè)試方法靈活可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試，安全穩(wěn)定對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖,，具有安全保護(hù)功能,，測(cè)試速度方便快捷。半導(dǎo)體元件除了本身功能要---之外,，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求,，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的特性很難---,，尤其是較大的功率元件,，因具有耗損性，易老化及效率降低,，因不平衡導(dǎo)致燒毀,，甚至在使用中會(huì)發(fā)生。

3、技術(shù)指標(biāo)*3.1機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型二極管,、mosfet,、igbt單管及模組*3.2機(jī)臺(tái)可測(cè)igbt項(xiàng)目及測(cè)試范圍vge(th)柵極閾值電壓vces集射極截止電壓ices集射極截止電流vce(sat)飽和導(dǎo)通壓降iges柵極漏電流vf二極管導(dǎo)通電壓可以測(cè)5000v，1600a以下的igbt模塊*3.3機(jī)臺(tái)可測(cè)mos項(xiàng)目vf,、vdsat,、igss、vgth,、bvdss,、rds(on)、gfs3.4測(cè)試項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)試條件與精度*3.5 vge(th)柵極閾值電壓0.1～10vvge：0.1～10v±1%±0.01v,；包裝與運(yùn)輸由專人負(fù)責(zé),，每個(gè)部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證,、試驗(yàn)報(bào)告和主要器件說明書等,。解析度：0.01v集電極電流ic：10～50ma±1%±0.5ma；50～200ma±1%±1ma,；200～1000ma±1%±2ma,；