igbt測試裝置技術(shù)要求1設(shè)備功能igbt模塊檢測裝置是用于igbt的靜態(tài)參數(shù)測試,。系統(tǒng)的測試原理符合相應(yīng)的，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu),，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃�,。igbt模塊檢測裝置是用于igbt的靜態(tài)參數(shù)測試，變頻器用igbt測試儀,，在igbt的檢測中,，變頻器用igbt測試儀廠家，采用大電流脈沖對(duì)igbt進(jìn)行vce飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測,。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖,，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決igbt進(jìn)行vce飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題,。等領(lǐng)域,，使半導(dǎo)體開發(fā)---在市場需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù),，持續(xù)在突破,。

3igbt飽和壓降/frd正向?qū)�通壓降測試電路 通態(tài)壓降測試電路?高壓充電電源：10~1500v連續(xù)可調(diào)?支撐電容：額定電壓2kv?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10v±3%±0.01v?柵極電壓輸出要求：5～25v±1%±0.01v ?集電極電流測試設(shè)備精度： 200～500a±3%±1a；500～1000a±2%±2a?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定4柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路?可調(diào)電源：±1ｖ～±40v±2%±0.1v,；?小電流測量設(shè)備精度：0.01～10μa±2%±0.005μa?transistor)及triac可控硅,、scr晶閘管、gto等各型閘流體與二極管(diode)等,，其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上,，均可屬于大功率的范圍。柵極電壓vge：±1ｖ～40v±1%±0.1v,；?脈沖時(shí)間：40~100ms可設(shè)定