產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件,、組件,、模塊包括igbt器件,、新型sic器件,、功率晶閘管及功率整流管等的檢測及-性設(shè)備,，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶,、電化學(xué)裝置,，風(fēng)力發(fā)電用igbt測試儀加工，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高,、中,、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐,，風(fēng)力發(fā)電用igbt測試儀,，晶閘管高壓閥組、gto,、igbt,、igct、mosfet驅(qū)動(dòng)器,、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng),、光電脈沖觸發(fā)板、igbt的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等,。2igbt模塊動(dòng)態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)測試單元對igbt模塊和frd的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2,。
目的和用途該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊igbt、frd,、肖特基二極管等的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試,，風(fēng)力發(fā)電用igbt測試儀廠家，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,，通過測試夾具的連接,，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試。5環(huán)境濕度：50%±20%相對濕度4,、動(dòng)態(tài)測試基本配置4,。1.2 測試對象igbt,、frd、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊2.測試參數(shù)及指標(biāo)2.1開關(guān)時(shí)間測試單元技術(shù)條件開通時(shí)間測試參數(shù)：1,、開通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns2,、開通-時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns4,、開通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj100～500mj±5%±2mj5,、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000a/us6、開通峰值功率pon：10w～250kw
技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測試對象
*1功能
gbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測試,。
*2測試對象
被測器件igbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù),。測試溫度范圍 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模塊動(dòng)態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)
測試單元對igbt模塊和frd的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2,。
以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級,、電流等級、溫度,、機(jī)械壓力,、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。
|
登錄后臺(tái)
滇公網(wǎng)安備 53011202000392