測(cè)試的igbt參數(shù)包括:ices漏流,、bvces耐壓,、igesf正向門(mén)極漏流、igesr反向門(mén)極漏流,、vgeth門(mén)檻電壓/閾值,、vgeon通態(tài)門(mén)極電壓、vcesat飽和壓降,、icon通態(tài)集極漏流,、vf二極管壓降、gfs跨導(dǎo),、rce導(dǎo)通電阻等全直流參數(shù),, 所有小電流指標(biāo)-1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)-2%以?xún)?nèi)重復(fù)測(cè)試精度,。且變流器由多個(gè)模塊組成,,由于個(gè)體差異,大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異,。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),,可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),,再與原出廠(chǎng)指標(biāo)比較,,由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,,變頻器用igbt測(cè)試儀批發(fā),,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),,提供內(nèi)部電路及電池組充電之用,;系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的,系統(tǒng)為獨(dú)立式單元,,封閉式結(jié)構(gòu),,具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2kv,。
igbt動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求
1,、設(shè)備概述
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊igbt、frd,、肖特基二極管等的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過(guò)測(cè)試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,。
2,、需提供設(shè)備操作手冊(cè)、維修手冊(cè),、零部件清單,、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖,、部件裝配圖,、電氣原理圖、全機(jī)潤(rùn)滑系統(tǒng)圖,、電氣接線(xiàn)用,、計(jì)算機(jī)控制程序軟件及其他-的技術(shù)文件,設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他-的技術(shù)文件,,所有資料必須準(zhǔn)備正本,、副本各一份,電子版一份,;半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠(chǎng)——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線(xiàn)的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試,、篩選、分析,,以-出廠(chǎng)產(chǎn)品的合格率,。正本、副本技術(shù)資料,,應(yīng)至少有一份采用中文,,另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。
2.7測(cè)試夾具1,、控制方式:氣動(dòng)控制2,、控溫范圍:室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3%3、電源:交流50hz,,變頻器用igbt測(cè)試儀-,220v,,變頻器用igbt測(cè)試儀廠(chǎng)家,,功率不大于1000w4、夾具能安裝不同規(guī)格的適配器,,變頻器用igbt測(cè)試儀,,以測(cè)試不同規(guī)格的器件,不同模塊需要配備不同的適配器,,設(shè)備出廠(chǎng)時(shí)配備62mm封裝測(cè)試夾具,、econopack3封裝測(cè)試夾具、34mm封裝測(cè)試夾具各一套,,但需甲方提供適配器對(duì)應(yīng)器件的外形圖,;由于科技進(jìn)步,,電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求,帶動(dòng)mosfet及igbt的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備,、光電,、航天、鐵路,、電力轉(zhuǎn)換,。2.8環(huán)境要求環(huán)境溫度:15~35℃相對(duì)濕度:小于70%-壓力:86kpa~ 106kpa壓縮空氣:不小于0.4mpa電網(wǎng)電壓:ac220v±10%無(wú)-諧波,三線(xiàn)制電網(wǎng)頻率:50hz±1hz
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