氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體,，其可直接躍遷,，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體,，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑,，使熔體過飽和而結(jié)晶的方法。以---和naoh為原料,，在水熱條件下成功制備出梭狀,、片狀和棒狀的納米級氧化鋅晶體，確定了適宜的反應(yīng)條件,，實現(xiàn)了納米氧化鋅形貌的可控制備,；制備出具有---紅外吸收特性的鐵元素和鈷元素?fù)诫s的納米級片狀氧化鋅晶體。

當(dāng)前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法,、水熱法,、氣象沉積法、坩鍋下降法等等,。在室溫下,，氧化鋅的能帶隙約為3.3 ev，因此,，純凈的氧化鋅是無色透明的,。高能帶隙為氧化鋅帶來擊穿電壓高、維持電場能力強(qiáng),、電子噪聲小,、可承受功率---優(yōu)點。采用升華法生長氧化鋅晶體裝置,，加熱速度快,，生長室容易達(dá)到高真空，可通過改變工藝條件實現(xiàn)對氧化鋅晶體尺寸,，生長速度的控制,，可獲得高大尺寸氧化鋅晶體,。