參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號
開通-時間td(on)關(guān)斷-時間td(off)
上升時間tr下降時間tf
開通時間ton關(guān)斷時間toff
開通損耗eon關(guān)斷損耗eoff
柵極電荷qg
短路電流isc//
可測量的frd動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號
反向恢復(fù)電流irm反向恢復(fù)電荷qrr
反向恢復(fù)時間trr反向恢復(fù)損耗erec
3.3主要技術(shù)要求
3.3.1 動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求
3.3.1.1 環(huán)境條件
1)海拔高度:海拔不超過1000m,;
2)溫度:儲存環(huán)境溫度 -20℃~60℃;
3)工作環(huán)境溫度: -5℃~40℃;
4)濕度:20%rh 至 90%rh (無凝露,,濕球溫度計溫度: 40℃以下),;
5)震動:抗能力按7級設(shè)防,地面抗震動能力≤0.5g,;
6)防護:無較大灰塵,,變頻器用igbt測試儀,腐蝕或性氣體,,變頻器用igbt測試儀價格,,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;
產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件,、組件,、模塊包括igbt器件、新型sic器件,、功率晶閘管及功率整流管等的檢測及-性設(shè)備,,變頻器用igbt測試儀批發(fā),電氣自動化設(shè)備,,電冶,、電化學(xué)裝置,電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高,、中,、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐,,晶閘管高壓閥組,、gto、igbt,、igct,、mosfet驅(qū)動器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng),、光電脈沖觸發(fā)板,、igbt的智能高壓驅(qū)動板等。3igbt飽和壓降/frd正向?qū)▔航禍y試電路通態(tài)壓降測試電路 ,。
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