3.6vces集射極截止電壓0~5000v集電極電流ices：0.01～1ma±3%±0.001ma；1～10ma±2%±0.01ma,；10～50ma±1%±0.1ma,；集電極電壓vces：0-5000v±1.5%±2v；測試過程簡單,，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試,，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。*3.7 ices集射極截止電流0.01～50ma集電極電壓vces：50～500v±2%±1v,；500～5000v±1.5%±2v,；集電極電流ices：0.001～1ma±3%±0.001ma；1～10ma±2%±0.01ma,；10～150ma±1%±0.1ma,；*3.8vce(sat)飽和導通壓降0.001～10v集電極電流ice：0-1600a集電極電壓vces：0.001～10v±0.5%±0.001v柵極電壓vge：5～40v±1%±0.01v集電極電流ice：0～100a±1%±1a；100～1600a±2%±2a,；*3.9iges柵極漏電流0.01～10μa柵極漏電流iges：0.01～10μa±2%±0.005μa柵極電壓vge：±1ｖ～40v±1%±0.1v,；vce=0v；*3.10vf正向特性測試0.1～5v二極管導通電壓vf：0.1～5v±1%±0.01v電流if：0～100a±2%±1a,；100～1600a±1.5%±2a,；

什么是大功率半導體元件,？其用途為何,？

凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac可控硅,、scr晶閘管,、 gto等各型閘流體與二極管(di ode)等，檢修用igbt測試儀加工,，其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上,，檢修用igbt測試儀，均可屬于大功率的范圍。將量測的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較,，就可判定元件的好壞或退化的百分比,。如下圖片所示。此類元件多用于車船,，工廠的動力,，光電及其他能源的轉換上。