測(cè)試的igbt參數(shù)包括：ices漏流,、bvces耐壓、igesf正向門(mén)極漏流,、igesr反向門(mén)極漏流,、vgeth門(mén)檻電壓／閾值、vgeon通態(tài)門(mén)極電壓,、vcesat飽和壓降,、icon通態(tài)集極漏流,、vf二極管壓降、gfs跨導(dǎo),、rce導(dǎo)通電阻等全直流參數(shù),， 所有小電流指標(biāo)---1%重復(fù)測(cè)試精度， 大電流指標(biāo)---2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度,。1可調(diào)充電電壓源用來(lái)給電容器充電,，實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試,、短路電流的測(cè)試需求,。

半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比,。每個(gè)電流模塊,，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí),，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用,； 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗�塊，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2kv,。測(cè)試參數(shù)多且完整,、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開(kāi)啟」電流壓降,，「關(guān)閉」電流的漏電流,，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。

主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件

vce

集射極電壓150～3300v150～500v±3%±1v,；

500～1000v±2%±2v,；

1000～3300v±1%±5v；150～3300v

ic

集射極電流1～200a1～200a±3%±1a,；1～200a

vge

柵極電壓-30v～30v-30～0v±1%±0.1v,；

0～+30v±1%±0.1v-30v～30v

qg

柵極電荷400~20000ncig: 0～50a±3%±0.1ma;400~20000nc

td(on)、td(off)

開(kāi)通/關(guān)斷---10～1000ns10~200±2%±2ns,；200~1000±2%±5ns

tr,、tf

上升/下降時(shí)間10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns,；

eon,、eoff

開(kāi)通/關(guān)斷能量1～5000mj1～50mj±2%±0.1mj；

50～200mj±2%±1mj,；

200～1000mj±2%±2mj,；

1000～5000mj±1%±5mj,；