為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝,，就要求光刻膠的厚度越薄,。在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對(duì)襯底的刻蝕 [2] ,。為此,，研發(fā)了含si的光刻膠，這種含si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料常被稱作underlayer,，其對(duì)光是不敏感的,。-顯-，利用氧等離子體刻蝕,，把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到underlayer上,，在氧等離子體刻蝕條件下，nr21 20000p光刻膠,，含si的光刻膠刻蝕速率遠(yuǎn)小于underlayer,，具有較高的刻蝕選擇性 [2] 。含有si的光刻膠是使用分子結(jié)構(gòu)中有si的有機(jī)材料合成的,，例如硅氧烷,，含si的樹脂等
光刻膠市場(chǎng)需求逐年增加，2018年半導(dǎo)體光刻膠銷售額12.97億美元，而國(guó)內(nèi)光刻膠需求量方面,，2011年光刻膠需求量為3.51萬噸,，到2017年需求量為7.99萬噸，nr21 20000p光刻膠公司,，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)14.69%,。
國(guó)內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量，且差額逐年擴(kuò)大,。由于中國(guó)-光刻膠市場(chǎng)起步晚,，目前技術(shù)水平相對(duì)落后，生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在pcb光刻膠,、tn/stn-lcd光刻膠等中低端產(chǎn)品,，tft-lcd、半導(dǎo)體光刻膠等高技術(shù)壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能很少,。
想了解更多關(guān)于光刻膠的相關(guān),，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。
(1)合成醛樹脂,。將原料混和甲醛送人不銹鋼釜,，加入適量草酸為催化劑，nr21 20000p光刻膠多少錢,，加熱回流反應(yīng)5～6h,，然后減壓蒸餾去除水及未反應(yīng)的單體酚，得到醛樹脂,。(2)合成感光劑,。在裝有攪拌器的夾套反應(yīng)罐中，nr21 20000p光刻膠,，先將三-二-甲酮和215酰氯加至中攪拌下溶解,，待完全溶解后，滴加有機(jī)堿溶液做催化劑,，控制反應(yīng)溫度30~35℃,，滴加完畢后，繼續(xù)反應(yīng)1h,。將反應(yīng)液沖至水中,，感光劑析出，離心分離,，干燥,。(3)配膠。將合成的樹脂,、感光劑與溶劑及添加劑按一定比例混合配膠,，然后調(diào)整膠的各項(xiàng)指標(biāo)使之達(dá)到要求,。后過濾分裝，光刻膠首先經(jīng)過板框式過濾器粗濾,，然后轉(zhuǎn)入超凈間(100級(jí))進(jìn)行超凈過濾,，濾膜孔徑0.2mm，經(jīng)超凈過濾的膠液分裝即為成品,。
|
登錄后臺(tái)
滇公網(wǎng)安備 53011202000392