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在-過程中,，正性膠通過感光化學反應，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系,，達到削弱聚合體的目的,，nr9 3000p光刻膠，所以-后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高,。-后的光刻膠溶解速度幾乎是未-的光刻膠溶解速度的10倍,。而負性膠，在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密,，nr9 3000p光刻膠報價,，并且從鏈下墜物增長，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在-區(qū)間顯影,，負性膠則相反,。負性膠由于-區(qū)間得到保留，漫射形成的輪廓使顯-的圖像為上寬下窄的圖像,，而正性膠相反,，為下寬上窄的圖像。
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光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝,，nr9 3000p光刻膠哪里有,，耗時占ic制造50%左右，成本約占ic生產成本的1/3,。光刻膠是光刻過程重要的耗材,，光刻膠的對光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上,，為后續(xù)的刻蝕步驟作準備,。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠,，經紫外線-后,，光刻膠的化學性質發(fā)生變化，在通過顯-,，被-的光刻膠將被去除,，nr9 3000p光刻膠，從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上,。再經過刻蝕過程,，實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中,，光刻膠起防腐蝕的保護作用,。
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